DCB是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(AL2Q3)或氮化鋁(ALN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝方法。所製成的超薄復合基板具有優良電絕緣性能，高導熱特性，優異的軟釬焊性和高的附着強度，並可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，DCB基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料，也是本世紀封裝技術發展方向“chip-on-board”技術的基礎。
    DCB技術的優越性 ：實現金屬和陶瓷鍵合的方法有多種，在工業上廣氾應用的有效合金化方法是厚膜法及鉬錳法。厚膜法是將貴重金屬的細粒通過壓接在一起而組成，再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上，因此厚膜的導電性能比金屬銅差。鉬錳法雖使金屬層具有相對高的電導，但金屬層的厚度往往很薄，小於25μm，這就限制了大功率模塊組件的耐浪涌能力。因此必須有一種金屬陶瓷鍵合的新方法來提高金屬層的導電性能和承受大電流的能力，減小金屬層與陶瓷間的接觸熱阻，且工藝不複雜。銅與陶瓷直接鍵合技術解決了以上問題，並為電力電子器件的發展開創了新趨勢。1、 DCB應用
● 大功率電力半導體模塊；半導體致冷器、電子加熱器；功率控制電路，功率混合電路；
● 智能功率組件；高頻開關電源，固態繼電器；
● 汽車電子，航天航空及軍用電子組件；
● 太陽能電池板組件；電訊專用交換機，接收系統；激光等工業電子。2、DCB特點
● 機械應力強，形狀穩定；高強度、高導熱率、高絕緣性；結合力強，防腐蝕；
● 極好的熱循環性能，循環次數達5萬次，可靠性高；
● 與PCB板(或IMS基片)一樣可刻蝕出各種圖形的結構；無污染、無公害；
● 使用溫度寬-55℃～850℃；熱膨脹係數接近硅，簡化功率模塊的生產工藝。
3、使用DCB優越性
● DCB的熱膨脹係數接近硅芯片，可節省過渡層Mo片，省工、節材、降低成本；
● 減少焊層，降低熱阻，減少空洞，提高成品率；
● 在相同載流量下 0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板的10%；
● 優良的導熱性，使芯片的封裝非常緊湊，從而使功率密度大大提高，改善系統和裝置的可靠性；
● 超薄型(0.25mm)DCB板可替代BeO，無環保毒性問題；
● 載流量大，100A電流連續通過1mm寬0.3mm厚銅體，溫升約17℃；100A電流連續通過2mm寬0.3mm厚銅體，溫升僅5℃左右；
● 熱阻低，10×10mmDCB板的熱阻：
0.63mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.31K/W
0.38mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.19K/W
0.25mm厚度陶瓷基片DCB的熱阻為0.14K/W
● 絕緣耐壓高，保障人身安全和設備的防護能力；
● 可以實現新的封裝和組裝方法，使產品高度集成，體積縮小。