【用　途】     同步动态随机存储器

【性能 参数】 

   TSOP II 66引脚封装。

   W9412G6IH是一个CMOS双数据率同步动态随机存储器（DDR SDRAM）；由2M字*4行*16位组成。W9412G6IH传输一个数据带宽达到500M字每秒。
所有的输入参考正边缘CLK（除了DQ，DM，和CKE之外）。当CLK和/CLK信号交错在转变期间时，不同的时钟为定时参考点。写和读数据是同步在DQS边缘之间（数据 Strobe）。
有可编程样式寄存器，系统能够改变冲突长度，潜伏周期，相互许可或者相继冲突使最大化他的性能。W9412G6IH是理想的主存储器在高性能的应用中。
 

   二.特点
   1.2.5V+/-0.2V电源电压为DDR266/333/400/500
   2.达到250MHz时钟频率
   3.双数据率样式：每个时钟周期有两个数据传输
   4.不同的时钟输入（CLK和/CLK）
   5.DQS是边缘读数据，中心缘为写数据
   6.CAS潜伏期：2，2.5，3，和4
   7.冲突长度：2，4和8
   8.自动刷新和自我刷新
   9.预关机和主动关机
   10.写数据掩盖
   11.写潜伏期=1
   12.15.6uS刷新间隔（4K/64mS刷新）
   13.最大的冲突周期：8
   14.接口：SSTL_2