双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。然而对其工作原理和结构的描述，以我们可以查悉的资料都只是很浅显地提及，大部分都是对它的外围电路的应用和工作方式、参数的选择等等做了比较多的描述，更进一步的--哪怕是内部方框电路--内容也很难找到。

由于可控硅所有的电子部件是集成在同一硅源之上，我们根本是不可能通过采用类似机械的拆卸手段来观察其内部结构。为了深入了解和运用可控硅，依据现有可查资料所给P型和N型半导体的分布图，采用分离元器件--三极管、电阻和电容--来设计一款电路，使该电路在PN的连接、分布和履行的功能上完全与双向可控硅类似，从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的.

用途：主要用于变频电路及调光、调速电路等。     
 封装形式：TO-92(T2GT1) 
 极限值：(Ta=25℃) 
 

参数名称 符号 额定值 单位 
断态重复峰值电压 VDRM 400 V 
VRRM 400 V 
通态平均电流 IT(AV) 1 A 
通态（不重复）浪涌电流 ITSM 10 A 
控制极平均功率耗散 PG(AV) 0.1 W 
最高结温 Tj 110 ℃ 
贮存温度 Tstg -40~110 ℃ 
 
 电特性：(Ta=25℃) 
参数名称 符号 测试条件 最小值 最大值 单位 
断态重复峰值电流 IDRM VDRM=400V,G断开 - 1 mA 
IRRM VRRM=400V,G断开 - 1 mA 
通态峰值电压 VTM IT=1A - 1.5 V 
维持电流 IH VD=12V,IGT=0.1A - 50 mA 
控制极触发电流 Ⅰ IGT VD=12V
RL=100Ω - 5 mA 
Ⅱ - 5 mA 
Ⅲ - 5 mA 
Ⅳ - 10 mA 
控制极触发电压 Ⅰ VGT VD=12V
RL=100Ω - 2 V 
Ⅱ - 2 V 
Ⅲ - 2 V 
Ⅳ - 2.5 V