♦  抑制干扰种类：雷击闪络突波、开关突波、开关突入电流、电磁脉冲波。
♦  装置机壳：金属阳极喷沙处理外壳防止自身电磁干扰泄漏。
♦  突波能量处理方法：采用串联模式结构以及突波能量吸收后转换成电压。
♦  适用电压范围： AC 100V-250V 50/60Hz ±10%。
♦  最大负载电流：1ψ3W 60A。
♦  最大电力容量：15 kW。
♦  无负载时之输入阻抗(R )值：>10MΩ。
♦  负载60A时核心模组温度：低于65 oC。
♦  在线情况下承受突波冲击能力：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 20 秒时间间隔, 至少3 次。
♦  突波能量吸收效率：1.2x50μs,10kV; 8x20μs,5kA 组合波, 99%±1% (不接地情况)。
♦  突波入侵后 AC电源波形恢复时间：低于10mS (以组合波测试)。
♦  突波入侵后AC电源波形修正能力：1-3A负载，1-3个周期以上 (以组合波测试)。
♦  承受EMP电磁脉冲/EFT冲击抑制能力：4.5kV, 5x50ns EFT 波形, 抑制能力95%±2% (不接地情况)。
♦  负载侧残存突波电压：650V±20% (以组合波测试)。
♦  对负载保护模式： L-N, L-G, 与N-G。
♦  装置对地阻抗值要求：无要求。
♦  运转环境温度与湿度：-40 to +85oC, 35 to 95%相对湿度 (不结露情况)。
♦  尺寸：底座 116mm (L)/95mm(W)/ 上盖116mm (L)/95mm(W)/35mm(H) ±1%(不含端子)。
♦  重量：320g ±5%。
♦  适合标准：ANSI C62.41、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、IEC 61643-1、ANSI C37.90.1、
                       CNS 14676-4(C6424-4)、CNS14676-5(C6424-5)。
♦  检验测试：加工作电压, 以10kV/5kA组合波, 4.5kV, 5x50ns EFT 波形进行测试。