FQPF10N60C

产品描述

数据列表 FQP10N60C, FQPF10N60C

产品相片 TO-220AB

标准包装 50

类别分立半导体产品

家庭 FET - 单

系列 QFET™

FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能标准

漏源极电压 (Vdss) 600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 9.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 730 毫欧 @ 4.75A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 57nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2040pF @ 25V

功率 - 最大值 50W

安装类型通孔

封装/外壳 TO-220-3 整包

包装管件