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Description

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应用范围:

研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数

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规        格:

2-1

sample size:10mm x10mm----15mm x15mm

样品尺寸: 10mm x10mm ---15mm x15mm (可定制)

2-2

Measurement Temperature: room temperature 、77K(option)

测试温度: 室温,可以选配77K低温。

2-3

Measurement Material: Semiconductors material such as

   Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如：

     Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)

2-4

Magnet Flux Density: 0.48 Tesla～1Tesla

磁场强度: 0.48 Tesla～1Tesla(根据不同应用所配置)

2-5

Magbnet Stability: ±2% over 1 years

稳定性: ±2% （超过一年）

2-6

Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center

均匀度：± 1%(20mm直径圆范围内)

2-7

Pole Gap: 20 mm

磁极间隙：20毫米

2-8

Output current:: 2nA~100mA

输出电流：2nA~100mA

2-9

Input voltage range: 1μV  to 300V

输入电压范围：1μV ~300V

2-10

Hall voltage range: 10uV to 2000mV

霍尔电压范围: 10uV to 2000mV

2-11

Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107

电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107

2-12

Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

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Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021

载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021