TP5100 高压单双节内置2A开关型内置MOS的详细描述：

概述

      TP5100是一款开关降压型双节8.4V/单节4.2V锂电池充电管理芯片。其QFN16超小型封装与简单的外围电路，使得TP5100非常适用于便携式设备的大电流充电管理应用。同时，TP5100内置输入过流、欠压保护、芯片过温保护、短路保护、电池温度监控、电池反接保护。      TP5100具有5V-18V宽输入电压，对电池充电分为涓流预充、恒流、恒压三个阶段，涓流预充电电流、恒流充电电流都通过外部电阻调整，最大充电电流达2A。TP5100采用频率400kHz的开关工作模式使它可以使用较小的外围器件，并在大电流充电中仍保持较小的发热量。      TP5100内置功率PMOSFET、防倒灌电路，所以无需防倒灌肖特基二极管等外围保护。

特性

■双/单节8.4V/4.2V锂电池充电

■内置功率MOSFET,开关型工作模式，器件发热少，外围简单■可编程充电电流，0.1A--2A■可编程预充电电流，10%--100%■无需外接防倒灌肖特基二极管■宽工作电压，最大达到18V■红绿LED充电状态指示■芯片温度保护，过流保护，欠压保护■电池温度保护、电池反接停机、短路保护■开关频率400KHz，可用电感20uH及以上■PWR_ON-电源、电池供电切换控制■小于1％的充电电压控制精度■涓流、恒流、恒压三段充电，保护电池■采用QFN164mm*4mm超小型封装

绝对最大额定值

■静态输入电源电压（VIN）：20V

■BAT：-8.4V～20V■BAT短路持续时间：连续■最大结温：120℃■工作环境温度范围：-40℃～85℃■贮存温度范围：-65℃～125℃

■引脚温度（焊接时间10秒）：260℃ 

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