DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的最新产品，以新型材料作为磁芯，可满足多项应用要求。

    一．产品特点：

    ① 耦合电容低，使之具有很高的抗干扰能力；

    ② 漏感小，保证了更好的输出脉冲波形；

    ③ 无开关延时、瞬时传输功率高；

    ④ 抗电强度高，安全可靠；

    ⑤ 全封闭，机械和耐环境性能好；

    ⑥ 体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。

    二．使用条件：

    ① 环境温度：-40℃~+85℃；

    ② 相对湿度：温度为40℃时不大于90%；

    ③ 大气压力：860~1060mbar(约为650~800mmHg)。