满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积sio2、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难溶金属硅化物等多种薄膜工艺。

技术参数:

熔炉管: 2-Tube (LPCVD工艺: 1tube/  熔炉工艺:1tube)
晶圆大小: 4英寸或6英寸
装载晶圆数: 1--10张
基板加热用加热器: 垂直型1-Zone加热器
加热器表面温度: 1250C
最低真空度:  < 0.005Torr
真空泵: 机械泵(选项:罗茨泵 或者分子涡沦泵+机械泵)
工艺控制方式: 根据程序及顺序的自动方式
系统规格: 1660mm(W) X 600mm(D) X 1830mm(H)