POWER-SEM
Dual IGBT Driver
2DI 615
2DI 615T (SMT)
双路大功率IGBT 驱动核
特点
●基于ASIC 设计的双路IGBT 驱动核
●为600V、1200V 及1700V 全系列IGBT 设计
●可选择半桥互锁模式或二个单路模式
●监测VCEsat 提供短路及过流保护
●纳米晶变压器隔离
●电源欠压保护(<12.5V 保护)
●故障记忆
●半桥模式下具有上下管互锁功能
●死区时间可调
●内置驱动用DC/DC 隔离电源
● ±15A 峰值电流输出
● IGBT 门极驱动电压+15V/-9V
● 300ns 信号转换时间
● 110ns 故障信号回馈时间
● 100ns 窄脉冲抑制消除射频干扰
●最高工作频率100kHz
●具备故障同步功能，低电平有效
●原边－付边的空气间隙距离39mm
●提供表面贴装型号适合规模生产
应用
●单路或桥式电路
●变频器
●电焊机
●感应加热
●逆变器
●大功率UPS
●大功率高频开关电源