高温扩散炉

外型形式：

卧式1—4管结构高温扩散炉主要满足半导体电力电子器件行业、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。

 　　 　　
技术指标：   可处理硅片尺寸：2—8英寸 　　
               工作温度：200℃—1300℃ 　　
                恒温区长度及精度：200mm—100mm≤±0.5℃ 　　
                单点温度稳定性、重复性：≤±1.5℃／24h 　　
                温度斜变：可控升温速率20℃／min， 　　
                可控降温速率：5℃／min 　　
                送片装置：全自动悬臂推拉舟、拉杆是推拉舟、手动推拉 　　
                气路系统：1—5路工艺气体／管 　　
                气体控制：全自动MFC、手动浮子流量计 　　
                 控制方式：工控机、触摸屏