结构：Asynchronous SRAM 密度：16Mbit 温度范围：-55℃ to 200℃ 包装：Die, packaged device available from Texas Instruments 架构:SRAM 密度:16MIT 故障避免/公差:EDAC和擦洗发动机，Hardsil：锁存豁免 温度范围:-55至125C 封装：选件模具，封装设备可从德州仪器公司获得 tid：>300k rad（si） SER（启用EDAC）：<5E-17错误/位日 单事件闭锁（let）：110 mev-cm2/mg 

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