Agileswich DSAT操作设置程序手册
6.2.1条。介绍
在去饱和（DSAT）或短路条件下，MOSFET正在传导非常高的
权力。必须控制关断以控制di/dt、过冲电压，最重要的是
设备。
增强型开关TM通过监控Vds快速检测短路情况来实现这一点
然后关掉设备。装置中的能量在一段很长的时间内消散
足以管理低于设备额定值的峰值电流和电压过冲，并且足够短
确保设备不会过热和出现故障。
每降低栅极电压电平，MOSFET的RDSon就会增加，这就降低了
流过MOSFET的电流量。
6.2.2条。确定初始参数设置
警告：DSAT（短路）是一种破坏性测试。强烈建议谨慎行事
使用保守的关闭设置来熟悉设备和测试程序。
典型的DSAT测试条件在给定温度下模拟模块额定电流的10倍
系统标称直流链路电压。
通过用功率电阻器或电线替换图10中的电感器，可以模拟这种情况
很短。使用一个已知的小电阻可以测量漏电流，而不需要
电流探针，因为电流可以通过电阻上的电压来计算

4编译并编程门驱动程序。
5在直流链路电压关闭的情况下，探测本振门并发送单脉冲信号。
a、 要使栅极驱动器在不使用高功率的情况下感测DSAT，请将其从栅极上卸下
电源模块上的电源引脚。
6根据这些DSAT操作设置，检查LO门的行为是否符合预期。
a、 下图显示了从LO侧Vgs测得的空载DSAT波形。
b、 此特定测试的设置为：
i、 DSAT电压电平（消隐时间）=500ns
二。DSAT第一次关闭=13V，1000ns
iii.DSAT第二次关断=9V，1000ns
接通直流链路电压并执行DSAT测试。
a、 使用模拟50%额定电流的功率电阻器。这样可以保持电流
相对较低，允许您体验无脉冲高电流的DSAT条件
通过模块。
i、 AgileSwitch建议在此阶段一次调整一个参数，以了解如何调整
它影响di/dt和过冲电压。
6.2.3条。优化参数设置
小心操作。由于具有破坏性，描述DSAT设置可能是一项困难的任务
测试的性质。
一般程序是：
1用R2代替R1，模拟75%的峰值电流。
2使用初始设置中最合适的设置（50%额定电流）。
三。将直流链路电压设置为标称系统电压的50%。
4发出一个脉冲。
5审查结果。
a、 Vgs
i、 驾驶员是否检测到短路？
1VG应该类似于图17。
2如果从正常操作来看，它看起来像图13，那么它没有检测到短路。以25V的增量增加直流链路电压，直到DSAT检测到。

b、 峰值电流-Id
i、 它达到你用功率电阻设置的电流了吗？
1如果是，保持空白时间不变。
2如果没有，考虑增加一步冲裁时间。（即从
500ns至600ns）
c、 Vds公司
i、 过冲电压是否超过设备的最大额定值？
1如果没有，很好。
2如果是，停止并降低直流链路电压并调整DSAT
操作一次设置一个参数。
6用R3代替R2来模拟100%的峰值电流。
7重复步骤3-5。
8一旦你缩小了一组特定的参数，提高直流链路电压到
标称系统电压并再次重复步骤3-5
下表和图显示了来自AgileSwitch门驱动器和
传统的栅极驱动器只有栅极电阻控制

这些结果表明，Rg=0.5Ω的增强开关能够对DSAT起反应迅速安全地关闭设备。Vds不超过900V，di/dt为控制以降低系统噪音，从而使闸门重新开启。Rg=5Ω的传统门驱动器无法安全地保护该设备。这个过冲电压超过装置额定值1200V，di/dt上的振铃过大。

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