PH778DBR

778nm系列

高功率、单频输出激光二极管

核心技术：                      

（1）DBR单频激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源层。

产品特点：

（1）高功率，单频输出；（2）激光线宽小于1MHz；（3）多种封装形式；（4）无跳模调谐范围宽；（5）使用寿命长；（6）可提供纳秒或皮秒脉冲输出。

PH778DBR系列高功率激光二极管是基于Photodigm公司先进的单频率激光芯片技术设计而成。它可以提供衍射极限且单纵模输出的激光光束，主要应用于Rb原子双光子跃迁。

DBR激光二极管将光栅放置于激光有源层的一端，可有效避免二极管工作时电流对光栅造成的冲击，能够充分保证激光二极管的使用寿命和稳定性。另外，DBR激光二极管采用单步分子束外延生长而成，使生产成本更加低廉，并且保证了低内部损耗和高输出功率。

技术参数：

连续模式输出技术参数（T=25℃）

1/蝶形封装   2/TO-8封装

注意事项：

此激光二极管是静电敏感器件，操作时请注意接地保护和佩戴静电手环。存储时请将各管脚短接在一起并放入防静电的容器内。