CREE碳化硅MOSFET分立15A/1200V

描述

该SiC FET器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开SiC JFET与Si共封装MOSFET以产生常关SiC FET器件。该设备的标准栅极驱动特性允许真正的“插入”“替换”为Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结设备。该器件在TO-247-3L封装中具有超低的栅极电荷和优异的反向恢复特性，使其成为切换感性负载和任何应用的理想选择需要标准栅极驱动。

特性

典型导通电阻RDS（开），典型值为150mW

最高工作温度175°C

出色的反向恢复

低栅极电荷

低固有电容

应用

开关电源，充电机，电动汽车，电机驱动器，感应加热设备

最大额定值

电气特性（TJ=+25°C，除非另有规定）典型性能-静态

SiC FET是由高压SiC耗尽型JFET和低压硅MOSFET形成的增强型功率开关串联连接。硅MOSFET用作控制单元而SiC JFET在关断状态下提供高电压阻挡。这单个软件包中的设备组合提供了与标准栅极驱动器，在低导通电阻（RDS（on））、输出电（Coss）、栅极电荷（QG）和反向恢复电荷（Qrr）导致低导通和开关损失。SiC FET还提供优异的反向传导无需外部反并联二极管。

如您要了解更多CREE SiC，参考:https://creecn.diytrade.com/sdp/2986440/2/pl-7836979/0/CREE_SiC.html