LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低.气体分子的平均自由程和扩散系数大，故可采用密集装片方式来提高生产率，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。LPCVD用于淀积Poly-Si.Si3N4.SiO2.磷硅玻璃.硼磷硅玻璃.非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜.广泛应用于半导体集成电路.电力电子.光电子及MEMS等行业的生产工艺中。

   2、设备构成

    ◆设备由净化工作台、加热炉柜、气路真空柜、微机控制柜、气源钢瓶柜（用户配套选用件）等组成；

◆)卧式结构；

◆)工艺气路系统配置；所有气路配件均采用进口件， VCR接口。

◆压力控制系统采用氮气调压；

◆真空系统采用罗茨泵——机械泵机组。

3 、安全保护

 ◆超温报警：

◆极限超温报警：

◆断偶护保：