公司介绍

焦作市科瑞斯达光电材料有限公司是一家由留学国外多年的晶体专家们共同创办的高新技术企业。公司生产、销售高品质的2～7英寸蓝宝石衬底晶片、钽酸锂、铌酸锂晶片。

公司现有从国外引进和国内制造专用的晶体生长、退火、质量检测、晶片加工、清洗等多种设备及相关配套设施，能够对生产及应用的晶片进行严格的质量控制和全面的科学检测测量。其加工工艺、清洗技术、检测手段和产品质量均处国际领先水平。

公司的核心管理团队成员均在国外同行业公司工作多年，具有现代企业的经营管理理念，积累了丰富的生产、技术、管理经验，能够充分利用在人才、信息、技术上的巨大优势来经营、管理企业。公司本着“诚信为本、顾客至上、品质保证、服务优良”的宗旨，秉承“成为先、道至善”的核心价值观，以“精心制作、精诚服务、精益求精”为质量方针，坚持“高科技、外向型、专业化、集约化”发展战略，积极开发新产品，不断更新设备和技术改造，稳步扩大生产规模，第一目标是竭诚满足客户的需求，达成与客户共同发展。

科瑞斯达光电生产加工的产品已被国内外众多着名商家采用，产品出口到欧洲、美国、日本、韩国、台湾地区等各大市场。生产质量已达到国外同类产品的先进水平，部分产品的精确质量已经超过国外同类产品，公司已经拥有一大批高端客户，在国内已形成自己的销售网络。我们将利用为高科技制造提供配套服务的丰富经验，为客户提供及时的技术支持和优质的售后服务。

经营理念

我公司将本着“诚信为本、质量第一、互惠互利、共谋发展”的原则，以“不断开拓、团结奋进、求真务实、勇于创新、自强不息、重合同守信用”的企业精神，以“更好的质量，更优质的服务和更超越的创新精神” 与中外新老朋友携手共进，为开拓光电材料的新纪元而努力奋斗！

应用领域

蓝宝石晶体广泛应用于半导体（MOCVD氮化镓外延衬底基板）、钟表、医疗、通讯、激光、红外、电子、测量仪表、军工及航空航天等诸多尖端高科技领域。

铌酸锂 (LiNb0)晶体由于其具有优良的铁电、压电、电光、非线性光学和声表面波性能而用途广泛。目前，已经在光波导基片、光通讯调制器、光隔离器、窄带滤波器等方面获得了广泛的实际应用，并在光子海量存储器、光学集成等方面具有广阔的应用前景，被公认为光电子时代的“光学硅”的主要侯选材料之一¨ 。

钽酸锂(LiTaO)晶体是一种重要的多功能晶体材料，该晶体具有优良的压电、铁电、声光及电光效应。因而成为声表面波(SAW)器件、光通讯、激光及光电子领域中的基本功能材料。经过抛光的LT晶片广泛用于谐振器、滤波器、换能器等电子通讯器件的制造，尤其以它良好的机电耦合、温度系数等综合性能而被用于制造高频声表面波器件，并应用在手机、对讲机、卫星通讯、航空航天等许多高端通讯领域。

产品规格

公司目前提供以下产品系列，规格如下：

Sapphire Substrates wafer 
Crystal Materials ：99,996% of Al203，High Purity, Monocrystalline， Al2O3
Crystal quality：

Block marks, twins, Color, micro-bubbles and dispersal centers are non-existent.

Diameter ： 2〞，3〞，4〞，5〞～ 7〞

In accordance with the provisions of standard production

Thickness ：250±15um，330±15um，430±15um, 500±15um,550± 15um ，650± 15um

In accordance with the provisions of standard production

Orientation：

C- plane（0001）to M-plane (1-100) or A-plane(1 1-2 0) 0.2°±0.1° /0.3°±0.1°,

R-plane (1-1 0 2),A-plane (1 1-2 0),M-plane (1-1 0 0).  Any orientation, Any angle。
Primary flat length:16.0±0.8mm，22.0 ±1.0 mm ，32.5±1.5 mm

In accordance with the provisions of standard production
Primary flat Orientation: A-plane (1 1-2 0) ± 0.2°

TTV ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um

LTV ≦5um ≤10um ≤15um ≤20um

TIR ≦10um≤15um ≤20um ≤30um
BOW ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um
Warp ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um
Front Surface: Ra< 0.2nm（By  AFM）

Back Surface: Fine ground (Ra=0.5 to 1.2 um);  Polished (Ra< 0.2nm).

Cleaning/packaging: 100 clean room cleaning, vacuum packaging derived nitrogen
Note:In accordance with the special requirements of customers, providing high-quality sapphire substrate 。

Lithium Niobate(LiNbO3) wafer

Diameter ： 2〞，3〞，4〞，5〞～ 7〞

In accordance with the provisions of standard production

Thickness ：500±15um, 660±15um, 710±15um, 790±15um, 1000±20um

Orientation：

X-Axis   Y-Axis   Z-Axis  ±0.1°

Y-axis 128° Rotated, Y-axis 64° Rotated, Y-axis 41° Rotated

The first reference to the Orientation： ± 0.2°

The first reference to the length：16.0±0.8mm,22.0 ±1.0 mm ,32.5±1.5 mm

In accordance with the provisions of standard production
The second reference length：10±2mm, 12±2mm,

TTV ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um

BOW ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um

Front Surface: 10/5

Back Surface: Fine ground (#240/#180);  Polished (10/5).

Chamfer：＜0.3mm,45°±5°

Lithium Tantlate(LiTaO3) wafer

Diameter ： 2〞，3〞，4〞，5〞～ 7〞

In accordance with the provisions of standard production

Thickness ：500±15um, 1000±20um

Orientation：X-Axis   Y-Axis   Z-Axis  ±0.1°

Y-axis 36° Rotated, Y-axis 42° Rotated

TTV ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um

BOW ≤10um ≤15um ≤20um ≤30um

Front Surface: 10/5

Back Surface: Fine ground (#240/#180);  Polished (10/5).

Chamfer：＜0.3mm,45°±5°