太阳能级半导体级硅料单多晶片
| 型号： | 125 156 6N-11N |
|---|---|
| 品牌： | CHIAN JAPAN GERMANY |
| 原产地： | 日本 |
| 类别： | 冶金矿产、能源 / 新能源 / 太阳能设备 |
| 标签︰ | 硅料 , 多晶片 , 单晶片 |
| 单价： |
US $59
/ KG
|
| 最少订量： | 1000 KG |
产品描述
硅片直径: 150±0.4mm
硅片宽度: 125±0.4mm
硅片厚度: 200±20μm
总厚度变化(TTV): 0.03mm
垂直度: 片内矩形对角线相等,公差±0.5mm
弯曲度: ≤0.035mm
技术参数
电阻率: 0.5-3Ω·cm
导电类型: P型
少子寿命: ≥10μs
氧含量: <1×1018atoms/ cm³
碳含量: <5×1016atoms/ cm³
晶向: (100)±1.5°
位错密度: 3×10³个/cm³
表面质量
缺口：晶片缺口不得大于1×0.3mm,一片不得超过三个.
崩边：晶片崩边不得大于1×0.5mm ,一片不得超过五个.
晶片不允许有裂纹和明显刀痕及凹坑.
表面无沾污和异常斑点
日本太阳能级7N--9N （66USD/KG ）
日本 德国半导体级 11N以上 （ 71USD/KG）
太阳能级多晶硅参数：
Boron(硼） 小于等于0.2ppba
Phosporus(磷）小于等于0.9ppba
Carbon(碳）小于等于1.0ppma
固体中重金属（Fe,Cu,Ni,Zn,Na,Cr)小于等于30.0ppba
表面重金属（Fe,Zn,Na)小于等于30.0ppba
无脏污，斑点及内含物，PE袋包装（5公斤）
半导体级多晶硅参数：
Boron(硼） 小于等于0.1ppba
Phosporus(磷）小于等于0.3ppba
Carbon(碳）小于等于0.2ppma
固体中重金属（Fe,Cu,Ni,Zn,Na,Cr)小于等于2.0ppbwt
表面金属杂质含量：
Fe小于等于2.0ppbwt Cu小于等于0.3ppbwt
Ni小于等于0.5ppbwt Zn小于等于1.0ppbwt
Na小于等于2.0ppbwt Cr小于等于0.5ppbwt
少子寿命大于1000usec
无脏污，斑点及内含物，PE袋包装（5公斤）
156多晶硅片参数：（3.8USD/片）
外形尺寸
硅片直径: 205±1mm
硅片宽度: 156±0.5mm
硅片厚度: 200±30μm
总厚度变化(TTV): ≤40μm
垂直度: 90°±3°
弯曲度: ≤0.035mm
技术参数
电阻率: 0.5-3/3-6Ω·cm
导电类型: P型
少子寿命: ≥10μs
氧含量: <1×1018atoms/ cm³
碳含量: <10×1016atoms/ cm³
晶向: (100)±3°
位错密度: <3×10³个/cm³
表面质量
晶片不允许有裂纹和明显刀痕及凹坑.
表面无沾污和异常斑点
会员信息
| 北京亿华佳程科技发展有限公司 | |
|---|---|
| 国家/地区︰ | 北京市北京市辖区 |
| 经营性质︰ | 贸易商 |
| 联系电话︰ | 86-13701188126 |
| 联系人︰ | 贺泽亚 (经理) |
| 最后上线︰ | 2010/06/11 |
