多晶硅片

产品描述

表面状态	1.已清洗，切割表面未腐蚀，无油污，无清洗剂残余;2.硅片表面无明显手感刀痕、凹坑现象；
缺陷	无裂痕，裂纹，孔洞v
边沿状态	1.缺口长度＜1 深度＜0.5mm崩边缺口在整片中小于2个; 2.沿硅片径向长度小于1mm，宽度小于1mm，不超过硅片厚度1/3的崩边，在整片中不允许超过3个
碎片	无
线痕	＜15µm
刀痕	＜10µm
微晶	＜10个/cm2
导电类型	P 型
电阻率	0.5～3ohm*cm
少子寿命	≥2µs
氧含量	＜8×10¹⁷/cm³
碳含量	＜1×10¹⁸/cm³
掺杂剂	B
厚度	200±20 µm
单片厚度变化TTV	＜单片厚度的15%(30µm)
翘曲度	＜50µm
硅片尺寸	156±0.5mm
倒角	45±2^o
倒角边长	1±0.5mm
直角偏离	90±.3^o
注：
少子寿命的测试用SEMILAB WT-1000/2000