GIS局部放电主要由下列缺陷引发:1)载流导体表面缺陷:如毛刺,尖角等引起导体表面电场强度不均匀,这种缺陷通常是在制造或安装时造成的,在稳定的工频电压下不易引起击穿,但在操作或冲击电压下很可能引起击穿;2)绝缘子表面缺陷:如制造质量不良,绝缘子有气泡或裂纹,安装遗留下的污迹,尘埃等;3)GIS筒内在制造和安装过程中存在的自由导电微粒;4)导体部分接触不良。
局部放电特高频法(UHF)是近年来发展起来的现场检测技术,它通过检测GIS内绝缘隐患在运行电压下辐射的电磁波,来判断GIS内部是否发生局部放电。UHF特高频法的最大优特是可有效地抑制现场噪声(如电晕放电),且对所有类型的局放缺陷均具有较高的敏感度。由于UHF信号频率高,具有很强的穿透性,在经过绝缘子时可以通过绝缘子与金属法兰的接缝辐射到GIS外部,故可使用体外检测方式,在盆式绝缘子外部测量到GIS内部的UHF信号。而对于新安装或大修后遗留在GIS内部的悬浮微粒缺陷,采用超声波法通常具有较好的检测效果,并且可以确定缺陷的部位。
北京圣泰实时电气公司(010-82356516,www.sin-tech.cn)研制的PDM2000型局放在线检测仪,具有下述特点:1)同时测量局部放电产生的超高频和超声波信号,能充分发挥两种不同检测技术的优点,保证了对各种缺陷的检测灵敏度,提高了在复杂现场干扰环境下局部放电信号的辨识能力;2)采用体外检测技术,只要把UHF特高频传感器靠近运行中的GIS盆式绝缘子附近,或者把AE超声波传感器贴在GIS金属外壳上,就可对GIS内部可能存在的局部放电缺陷进行检测,不需对GIS做任何的改动,也不需停电,更不会影响GIS的正常运行;3)灵敏度高达5pC,完全满足现场检测的要求;4)实时显示8种局部放电图谱,包含了当前国际上流行的全部分析功能,并辅以简单明了的Meter 显示模式,为分析局部放电类型及特征提供有效手段。