NT5TU64M16GG-AC 南亚 DDR2
| 型号： | NT5TU64M16GG-AC |
|---|---|
| 品牌： | NANYA |
| 原产地： | 台湾 中国 |
| 类别： | 电子、电力 / 其它电力、电子 |
| 标签︰ | NT5TU , 64M16 |
| 单价： |
US $2.5
/ 件
|
| 最少订量： | 10 件 |
产品描述
1GB容量的双数据速率2（DDR2内存）DRAM的是一个高速的CMOS双数据速率2内存含
1073741824位。它在内部配置为一个八进制银行的DRAM。
1GB容量的芯片的编排× 4或32兆的I / O × 8行，16兆× 8的I / O × 8的银行或8Mbit × 16的I / O × 8银行device.These同步设备实现高速双数据速率传输速率高达800Mb /秒/一般applications.The芯片引脚设计符合所有主要的DDR2 DRAM的关键
特征：（1）贴有附加延迟中科院，（2）写延时=读延时-1，（3）正常，实力弱DataOutput中的驱动程序，（4）可变数据输出阻抗调整和（5）1的ODT（上模具终止）函数。
控制和地址输入同步所有与外部提供的差分时钟apair。输入被锁存在差分时钟交叉点（对照上升和CK下降）。所有的I / O同步的单端在源DQS的或对差分DQS的同步方式。
一个x4和x8 14位地址总线举办组件和13位x16组件地址总线是用来传达行，列，和银行处理设备。
这些器件采用1.8V单+ / - 0.1伏特的电源，并采用BGA封装。
1073741824位。它在内部配置为一个八进制银行的DRAM。
1GB容量的芯片的编排× 4或32兆的I / O × 8行，16兆× 8的I / O × 8的银行或8Mbit × 16的I / O × 8银行device.These同步设备实现高速双数据速率传输速率高达800Mb /秒/一般applications.The芯片引脚设计符合所有主要的DDR2 DRAM的关键
特征：（1）贴有附加延迟中科院，（2）写延时=读延时-1，（3）正常，实力弱DataOutput中的驱动程序，（4）可变数据输出阻抗调整和（5）1的ODT（上模具终止）函数。
控制和地址输入同步所有与外部提供的差分时钟apair。输入被锁存在差分时钟交叉点（对照上升和CK下降）。所有的I / O同步的单端在源DQS的或对差分DQS的同步方式。
一个x4和x8 14位地址总线举办组件和13位x16组件地址总线是用来传达行，列，和银行处理设备。
这些器件采用1.8V单+ / - 0.1伏特的电源，并采用BGA封装。
会员信息
| 深圳市合冠电子有限公司 | |
|---|---|
| 国家/地区︰ | 广东省深圳市 |
| 经营性质︰ | 贸易商 |
| 联系电话︰ | 13530374297 |
| 联系人︰ | 李小姐 (SALE) |
| 最后上线︰ | 2012/03/30 |