工作电压： 2.4V~5.5V

工作温度：  -40 ~ 85℃

封装：SOP8

内核：   高速1T 8051

Flash ROM： 4KB Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）可重复写入1万次；

IAP：可code option成0K、0.5K、1K或4K

EEPROM：独立的128Byte，可重复写入10万次，10年以上保存寿命

SRAM：内部256Byte

 

系统时钟：内建高频 24MHz 振荡器

l   IC工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为24MHz(3.7-5.5V)、12/6/2MHz (2.4-5.5V)

l   频率误差： 跨越 (4.0V~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境, 不超过 ±1%。

 

内建低频 128kHz LRC 振荡器

l   可作为BaseTimer的时钟源，并唤醒STOP

l   可作为WDT的时钟源

l   频率误差： 跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境，频率误差不超过 ±4%

 

低电压复位（LVR）：

l  复位电压有4级可选：分别是:4.3V、3.7V、2.9V、2.3V

l  缺省值为用户烧写Code Option所选值

 

Flash烧写接口：

l  2线烧写接口

 

中断（INT）：

l  Timer0, Timer1, Timer2, INT0, INT2, ADC，PWM，UART，Base Timer共9个中断源

l  外部中断有2个中断向量，共4个中断口，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断

l  两级中断优先级可设

 

数字外围：

l  最大6个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻

l  P2口源驱动能力分四级控制

l  全部IO具有大灌电流驱动能力（47mA）

l  11位WDT，可选时钟分频比

l  3个标准 80C51 定时器Timer0、Timer1和Timer2

l  2路共用周期、单独可调占空比的 8位PWM

l  1个独立UART通信口

 

模拟外围：

l   5路12位±2LSB ADC

n  内建基准的 2.4V 参考电压

n  ADC的参考电压有2种选择, 分别是 VDD以及内部2.4V

n  内部一路ADC可直接测量VDD电压

n  可设ADC转换完成中断

 

省电模式:

l  IDLE Mode，可由任何中断唤醒

l  STOP Mode，电流<1uA，可由 INT0、2和BaseTimer唤醒