西门康(赛米控)功率半导体模块/西门康(赛米控)IGBT模块/西门康(赛米控)IPM模块/西门康(赛米控)CIB模块/西门康(赛米控)MOSFET模块/西门康(赛米控)可控硅模块/西门康(赛米控)二极管模块/西门康(赛米控)桥式整流器/西门康(赛米控)整流桥/西门康(赛米控)二极管等
SEMIKRON功率半导体模块/SEMIKRON IGBT模块/SEMIKRON IPM模块/SEMIKRON CIB模块/SEMIKRON MOSFET模块/SEMIKRON可控硅模块/SEMIKRON二极管模块/SEMIKRON桥式整流器/SEMIKRON整流桥/SEMIKRON二极管
SEMiX251D12FS SEMiX341D SEMiX241DH
SKBB../..-4 SKB15 SKB30 SKB52 SKB60 SKB72
SKBaB500/445-4 MSKB250/220-1,5 MSKaB500/445-1,5 SKD30 SKD31 SKD33 SKD51
SKD53 SKD60 SKD62 SKD82 SKD83 SKD100 SKD110 SKD115 SKD145 SKD160 SKD210
SKBT28 SKBT40 SKDT60 SKDT115 SKDT145 SKCH28 SKCH40 SKBH28 SKBZ28
SKDH100 SKDH115 SKDH145 SKDH116/..-L75 SKDH146/..-L75 SKDH116/..-L100
SKDH146/..-L100 SKDH146/..-L200 SKD116/..-L75 SKD146/..-L75 SKD116/..-L100
SKD146/..-L100
SK50B06UF SK50B SK55B06F SK55B12F SK70B SK100B
SK55D SK70D SK80D12F SK95D SK55DGL126 SK74DGL063 SK95DGL126 SK40DH
SK70DH SK170DHL126 SK200DHL066 SK40DT SK70DT
通过前面对整流桥三种不同形式散热的分析并结合对一整流桥详细的仿真模型的分析结果,我们可以得出如下结论:1、 在计算整流桥的结温时,其生产厂家所提供的Rjc(强迫风冷时)是指整流桥的结与散热器相接触的整流桥壳体表面间的热阻;2、 器件参数中所提供的Rja是指该器件在自然冷却是结温与周围环境间的热阻;3、 对带有散热器的整流桥且为强迫风冷散热地壳温测量时,应该采用与整流桥壳体相接触的散热器表面温度作为计算的壳温,必要时可以考虑整流桥与散热器间的接触热阻。不应该采用整流桥壳体正面上的温度作为计算的壳温,不然将会引起较大的正向误差。