太阳能级硅少子寿命测试仪
功能特点：本设备是按照国家标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的高频光电导衰减法”设计制造。高频光电导衰减法在我国半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次全国十多个单位巡回测试的考验，证明是一种成熟可靠的测试方法，特别适合于硅块、硅棒的少子体寿命测量；也可对硅片进行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，因此制样特别简便。

产品特点
■ 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。
■ 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。
■ 液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形。


技术参数
配置两种波长的红外光源
■ 1.07μm波长红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
■ 0.904～0.905μm波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。
测量范围
■ 研磨或切割面：电阻率≥0.5Ω·㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。
■ 抛光面：电阻率在0.1～0.01Ω·㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围
■ 分体式： 2μS—10ms
■ 一体式： 0.5μS—20ms