HMC1021Z单轴磁阻芯片 HMC1022双轴磁阻芯片 
磁阻传感器机构为四臂的惠斯通电桥，将磁场转换成差动输出的电压。可检测低至85微高斯的磁场。这两种新的低成本型传感器具有更小的体积和更低的功耗。

特点和优势

更宽的磁场范围、小体积、固态、低功耗、成本降低

型号  HMC1021/1022   

参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
电桥电压 电桥电压相对于地  5 12 V
电桥电阻 电桥电流=5mA 800 1100 1300 Ω
工作温度 1021D工作温度为-40~300℃ -55  150/300 ℃
储存温度 环境温度 -55  175 ℃
磁场范围 满量程（FS）－所有施加的磁场 -6  6 Gauss
线性度误差 最佳拟合曲线    ±1Gauss  0.05  %FS
 （25℃）        ±3Gauss  0.4  
 ±6Gauss  0.6  
迟滞误差 ±3Guass，3次来回，@25℃  0.08  %FS
重复性误差 ±3Guass，3次来回，@25℃  0.08  %FS
灵敏度 S/R=0.5A 0.8 1 1.2 mV/V/Gauss
噪声密度 在1Hz时的密度，电桥电压＝5V  48  Nv/√Hz
分辨率 带宽＝10Hz，电桥电压＝5V  85  μ Gauss
带宽 磁信号（下限＝DC）  5  MHz
OFFSET电流带 从OFFSET+ 至OFFSET- 测量 38 50 60 Ω
OFFSET电流带电阻温度系数 TA=-40 至125℃  3900  ppm/＆#730;C
OFFSET磁场 磁场施加在敏感轴方向 4 4.6 6 mA/guass
置位/复位电流带 从S/R+ 至S/R- 测量 5.5 7.7 9 Ω
置位/复位电流 2μs 电流脉冲 0.5 0.5 4 A
干扰磁场 灵敏度开始下降，用S/R脉冲恢复灵敏度 20   Gauss
灵敏度温度系数 TA=-40 至125℃     电桥电压=5V -3200 -3000 -2800 ppm/℃
 电桥电流=5mA  -600  
电桥温度系数 TA=-40 至125℃ 无置位/ 复位  ± 500  ppm/℃
 Vbridge=5V 有置位/ 复位  ± 10  
电阻温度系数 电桥电压=5V，-40～125℃  2500  ppm/℃
横向干扰 正交磁场=1 Gauss施加磁场± 1Gauss  0.3  ％FS
最大暴露磁场 对零点无永久效果   10000 Gauss
置位/复位 S/R ≥ 0.5A   30 μV

主要特点   

可以组合成三轴（X,Y,Z)或单独检测1轴或2轴。1轴传感器有8脚SIP封装或SOIC封装，2轴传感器为16脚SOIC窄体封装。

磁场范围为正负6高斯，（地磁场为0.5高斯），仍保持很高的灵敏度，最小可检测磁场为85微高斯。

和磁通门传感器相比，这些小体积的传感器减少了线路板组装成本，增加了可靠性和坚固程度。

获得专利的在芯片上的置位/复位和偏置电流带进行了改进，和HMC1001/1002相比驱动置位/复位和偏置电路的电流降低了50%。供电电源为3~10VDC，降低了功耗，减少了周边电路。

传感器专门为一些用量很大的OEM厂家应用而设计。

 85 uGauss的分辨率

固态－可靠性提高
 

应用领域

罗盘，导航系统，姿态参照，虚拟实景，交通车辆检测，接近检测，医疗仪器。

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