【用　途】     同步動態隨機存儲器

【性能 參數】 

   TSOP II 66引腳封裝。

   W9412G6IH是一個CMOS雙數據率同步動態隨機存儲器（DDR SDRAM）；由2M字*4行*16位組成。W9412G6IH傳輸一個數據帶寬達到500M字每秒。
所有的輸入參考正邊緣CLK（除了DQ，DM，和CKE之外）。當CLK和/CLK信號交錯在轉變期間時，不同的時鐘為定時參考點。寫和讀數據是同步在DQS邊緣之間（數據 Strobe）。
有可編程樣式寄存器，系統能夠改變衝突長度，潛伏週期，相互許可或者相繼衝突使最大化他的性能。W9412G6IH是理想的主存儲器在高性能的應用中。
 

   二.特點
   1.2.5V+/-0.2V電源電壓為DDR266/333/400/500
   2.達到250MHz時鐘頻率
   3.雙數據率樣式：每個時鐘週期有兩個數據傳輸
   4.不同的時鐘輸入（CLK和/CLK）
   5.DQS是邊緣讀數據，中心緣為寫數據
   6.CAS潛伏期：2，2.5，3，和4
   7.衝突長度：2，4和8
   8.自動刷新和自我刷新
   9.預關機和主動關機
   10.寫數據掩蓋
   11.寫潛伏期=1
   12.15.6uS刷新間隔（4K/64mS刷新）
   13.最大的衝突週期：8
   14.接口：SSTL_2