化學符號：SiO2

沸   點：2230℃

分 子 量：60.08

外    觀：白色、乳白色、灰色或無色

熔    點：1700℃

密    度：2.2-2.7g/cm³ 

在10-4Torr真空下蒸發溫度為：1025℃

透 明 區/nm：200-8000

相對介電常數：3-4

擊穿電壓/V·cm-1：106

厚度μm：0.03-0.3

沉積技術：反應濺射

折 射 率(波長/nm)

1.46(500)

線膨脹係數/℃-1:5.5×10-7

1.445(1600)

蒸 發 方式：電子束

性    能： 可用鉭舟加熱蒸發，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發，但由電阻加熱蒸發會產生分解，由電子束加熱蒸發效果很好；不溶于水和酸，但溶于氫氟酸；其微粒能與熔融碱起作用；

應    用： 二氧化硅用途廣氾，主要用於冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。