氧化鉿
化學符號：HfO2 
外    觀：白色
分 子 量：210.49 
密    度：9.7g/cm³
熔    點：2500℃ 
折射率（波長/nm）：1.9-2.1（300）
     1.84-2.0（2500）
沸    點：5400℃ 
線膨脹係數：5.8×10-6/℃（250-1300）
10¯4真空下蒸發溫度為：2500℃ 
蒸發方式：電子束
透明波段/nm：235-2500 
介電常數：20.5-23
比    容：0.05μF/cm2 
電容溫度係數TCC：（1.25～2.50）×10-4/℃
性    能：適於電子槍蒸發，成膜緻密穩定。紫外波段的優良材料。不溶于水，耐化學性質，但在高溫下能與氫氧化物起反應，膜堅硬；
應    用：主要用於紫外膜、防反膜或高反膜和耐火材料、紫外-近紅外多層膜。
          HfO2薄膜是一種絕緣氧化物，即可做薄膜電阻，又可做介子薄膜，一般用濺射法沉積制備。
HfO2分析報告:
Ti Fe Mn Mg Cr Ni
0.0 1 0.012 0.001 0.015 0.005 0.009
Al  Cu      
0.0 1 0.005