鐵電存儲器（FRAM）產品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優勢結合在一起。FRAM產品包括各種接口和多種密度，像工業標準的串行和並行接口，工業標準的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

　　非易失性記憶體掉電后數據不丟失。可是所有的非易失性記憶體均源自ROM技術。你能想象到,只讀記憶體的數據是不可能修改的。所有以它為基礎發展起來的非易失性記 鐵電存儲器FRAM憶體都很難寫入，而且寫入速度慢，它們包括EPROM（現在基本已經淘汰）,EEPROM和Flash，它們存在寫入數據時需要的時間長，擦寫次數低,寫數據功耗大等缺點。 　　

         FRAM提供一種與RAM一致的性能,但又有與ROM 一樣的非易失性。 FRAM 克服以上二種記憶體的缺陷併合並它們的優點，它是全新創造的產品，一個非易失性隨機存取儲存器。

　　Ramtron的FRAM技術核心是鐵電。這就使得FRAM產品既可以進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛[Pb(Zr,Ti)O3]的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT（如圖1）。

PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生一個二進制開關。與RAM器件不同，F-RAM在電源被關閉或中斷時，由於PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。 　　當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順着電場的方向在晶體里移動，當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。 內部電路感應到電荷擊穿並設置記憶體。移去電場后中心原子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。FRAM 記憶體不需要定時刷新，掉電后數據立即保存，它速度很快，且不容易寫坏。 　　F-RAM、ROM都屬於非易失性存儲器，在掉電情況下數據不會丟失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可編程只讀存儲器）和Flash存儲器，可以被擦除，並多次重複編程，但它們需要高電壓寫入且寫入速度非常慢。基於ROM技術的存儲器讀寫週期有限（僅為1E5次），使它們不適合高耐性工業應用。 　　

F-RAM比一般串口EEPROM器件有超過10,000倍的耐性，低於3,000倍的功耗和將近500倍的寫入速度（圖 2）。

F-RAM結合了RAM和ROM的優勢，與傳統的非易失存儲器相比，具有高速、低功耗、長壽命的特點。 　　FRAM存儲器技術和標準的CMOS製造工藝相兼容。鐵電薄膜被放于CMOS base layers之上，並置於兩電極之間，使用金屬互連並鈍化后完成鐵電製造過程。 　　

Ramtron 的FRAM 記憶體技術從開始到現在已經相當成熟。 最初FRAM 記憶體採用二晶體管/ 二電容器的( 2T/2C) 結構，導致元件體積相對較大。 最近發展的鐵電材料和製造工藝不再需要在鐵電存儲器每一單元內配置標準電容器。 Ramtron 新的單晶體管/ 單電容器結構記憶體可以像DRAM一樣進行操作，它使用單電容器為存儲器陣列的每一列提供參考。與現有的2T/2C結構相比，它有效地把內存單元所需要面積減少一半。新的設計極大的改進了die leverage並且降低了FRAM存儲器產品的生產成本。 　　Ramtron公司現採用0.35微米製造工藝，相對於現有的0.5微米的製造工藝而言，這極大地降低芯片功耗，提高了成本效率。 　　這些令人振奮的發展使FRAM在人們日常生活的各個領域找到了應用的途徑。從辦公複印機、高檔服務器到汽車安全氣囊和娛樂設備， FRAM 使一系列產品的性能得到改進並在全世界範圍內得到廣氾的應用。