半導體發光二極管簡稱LED，從上世紀六十年代研製出來並逐步走向市場化，其封裝技術也是不斷改進和發展。LED 由最早用玻璃管封裝發展至支架式環氧封裝和表面貼裝式封裝，使得小功率LED 獲得廣氾的應用。從上世紀九十年代開始，由於LED 外延、芯片技術上的突破，四元系AlGaInP 和GaN 基的LED相繼問世，實現了LED 全色化，發光亮度大大提高，並可組合各種顏色和白光。器件輸入功率上有很大提高。目前單芯片1W 大功率LED 已產業化並推向市場，臺灣國聯也已研製出10W 的單芯片大功率LED。這使得超高亮度LED 的應用面不斷擴大，首先進入特種照明的市場領域，並向普通照明市場邁進。由於LED 芯片輸入功率的不斷提高，對這些功率型LED 的封裝技術提出了更高的要求。功率型LED 封裝技術主要應滿足以下二點要求：一是封裝結構要有高的取光效率，其二是熱阻要盡可能低，這樣才能保証功率LED 的光電性能和可靠性。所以本文將重點對功率型LED 的封裝技術作介紹和論述。

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