III族氮化物半導體材料目前工業化制備是通過金屬有機物化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)來實現的。該技術的基本原理是通過在密閉化學反應腔中引入高純度的金屬有機源(MO源)和氨氣(NH3)，使其在加熱的襯底基板(一般選擇藍寶石做襯底)上生長出高質量的晶體。基本化學反應式是：Ga(CH3)3+NH3→GaN+CH4.通常GaN晶體是六方狀的纖鋅礦結構，基本的物理特性如表2所示。需要特別指出的有兩點：(1)GaN的能帶寬度在常溫300K時，等於3.39eV,是非常難得的寬禁帶半導體材料，如果發光，對應的光子波長應該是，

青島泰倫德電子工程有限公司是一家專業從事LED顯示屏系列產品的開發、生產、銷售、工程、售后服務為一體的綜合性高科技企業。目前是山東半島唯一一家擁有LED生產線，具有獨立生產能力的公司。擁有自己的獨立廠家，選取上好的材料，針對青島地區LED顯示屏的安裝已經贏得了不錯的信譽，售后團隊強大，24h服務。

　　青島泰倫德電子工程有限公司建立了一套完善的客戶服務體系，並由一支強大的、訓練有素的、技術過硬的服務團隊，負責全程的銷售服務。售前制定詳細的產品技術方案，售中進行顯示屏安裝指導和產品培訓，售后對產品故障提供保修服務並進行客戶關懷。為及時高效地滿足客戶需求，公司已在國內設置了多家辦事處，以保証在6小時內及時到達工程現場。www.0532led.com