砷化鎵襯底晶棒
| 型號： | 晶棒 |
|---|---|
| 品牌： | 特博 |
| 原產地： | 中國 |
| 類別： | 電子、電力 / 其它電力、電子 |
| 標籤︰ | 砷化鎵晶棒 , 晶棒 , 襯底 |
| 單價： |
¥1
/ 個
|
| 最少訂量： | 1 個 |
產品描述
特博公司專業提供砷化鎵襯底晶片（高質量）和多晶砷化鎵晶棒，單晶砷化鎵晶棒產品用於LED, LD和太陽能市場，深受國內外客戶的好評。砷化鎵多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用於發光二極管（LED）、激光二極管（LD）以及太陽能
電池 等領域砷化鎵單晶的生產。
|
|
|
砷化鎵多晶料性能指標 |
|
|
|
|
|
|
原料純度 |
6N 及以上 |
|
|
導電類型 |
N 型 |
|
|
遷移率（cm2/V＆#8226;s） |
2500~3500 |
|
|
載流子濃度（cm-3） |
1.0×1016~1.0×1017 |
|
|
產品外觀 |
D 字形 |
|
|
尺寸 |
約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長 |
|
|
|
|
砷化鎵單晶棒
|
生長方法 |
VB |
|
|
|
導電類型 |
N型 |
|
|
|
摻雜元素 |
Si |
|
|
|
直徑 |
2-4 |
英吋 |
|
|
方向 |
(100) 150 ± 10′off toward〈111〉A |
|
|
|
載流子濃度 |
Min: 0.2 E18 |
Max: 4.0 E18 |
/cm3 |
|
電阻率 |
Min: 0.8 E-3 |
Max: 9.0 E-3 |
Ohm.cm |
|
遷移率 |
≥ 1800 |
cm2/v.s |
|
|
位錯密度 |
≤ 3500 |
/cm2 |
|
其他規格可按客戶要求提供
會員信息
| 哈爾濱特博科技有限公司 | |
|---|---|
| 國家/地區︰ | 黑龙江省哈尔滨市 |
| 經營性質︰ | 生產商 |
| 聯繫電話︰ | 13613627346 |
| 聯繫人︰ | 李紅岩 (經理) |
| 最後上線︰ | 2022/09/13 |
