選型表：

  

型號	VDSMAX	IDSMAX	VGS	RDSON'@25	RDSON'@250	Input Capaciance(Typ)	package	RthJ(Typ)	操作溫度
CHT-NMOS8001	80V	1A	0 to +5V	1.2Ω	2.4Ω	160pF	TDFP	11°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS8005	80V	5A	0 to +5V	0.48Ω	0.99Ω	410pF	T0254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS8010	80V	10A	0 to +5V	0.24Ω	0.46Ω	850pF	T0254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS4005	40V	5A	0 to +5V	0.38Ω	0.65Ω	370pF	T0254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS4010	40V	10A	0 to +5V	0.20Ω	0.36Ω	720pF	T0254	3°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-NMOS4020	40V	20A	0 to +5V	0.12Ω	0.25Ω	1.84nF	T0254	2°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-SNMOS80	80V	300mA	-0.5V to +5.5V	07.5Ω	15Ω	23pF	TO39,TO18	60°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-PMOS3002	30V	2A	+0.5V to -5.5V	2.3Ω	3.9Ω	150pF	TO254	5°C/W	-55℃ to 225℃
CHT-PMOS3004	30V	4A	+0.5V to -5.5V	1.1Ω	2.0Ω	300pF	TO254	5°C/W	-55℃ to 225℃

 

 

1)高溫功率MOSFET N-channel 80V

CHT-NMOS-80，分別工作于5A和10A最大漏極電流，有兩個型號：CHT-NMOS8005 and CHT-NMOS8010，具有極佳的高溫性能和可靠性。

CHT-NMOS80XX (CHT-NMOS8005 and CHT-NMOS8010)：

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

· 漏極電壓最高:80V

· 最大漏極電流 @ 225°C: (CHT-NMOS8005) 5A ，(CHT-NMOS8010) 10A 

· 導通電阻@25°C:0.50Ω (CHT-NMOS8005) and 0.25Ω (CHT-NMOS8010)

· 柵極源極電壓Vgs：0V to到 +5V

· 封裝：TO-254 或根據客戶要求提供晶元或其它定製型封裝形式

 CHT-NMOS80 

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

· 漏極電壓最高80V

· 最大漏極電流3.4A @ 225°C

· 導通電阻@25°C: 0.55Ω  

· 柵極源極電壓Vgs：0V to到 +5V

· 封裝：TO-254 或根據客戶要求提供晶元或其它定製型封裝形式

2) 高溫功率 MOSFET N-channel 40V

CHT-NMOS40**是40V N溝道功率器件，有三個型號，分別工作于5A,10A和20A最大漏極電流，具有絕佳的可靠性和高溫性能。

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

· 漏極電壓最高40V

· 最大漏極電流@ 225°C: 3.9A (4005), 7.6A (4010), 14A (4020)

· 導通電阻0.4Ω (4005), 0.2Ω (4010), 0.12Ω (4020) @25°C

· 柵源電壓VGS:0V to到 +5.5V

· Also available as bare die

CHT-PMOS30**是30V P溝道功率器件，有三個型號，分別工作于2A,4A和8A最大漏極電流，具有絕佳的可靠性和高溫性能。

3) 高溫功率 MOSFET P-channel 30V

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

· 漏極電壓最高30V

· 最大漏極電流@ 225°C: 2A (3002), 4A (3004), 8A (3008)

· 導通電阻：3.9Ω (3002), 2Ω (304), 1Ω (3008) @225°C

· 柵源電壓Vgs：0V to 到+5V

· Also available as bare die

 1） 高溫小信號 MOSFET N-channel 80V

小信號N溝道MOSFET器件，適用於傳感器接口，例如壓力傳感器，保護放大器，高阻抗負載切換，電平轉換和高溫二極管。

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

· 漏極電壓最高：80V

· 最大漏極電流 300mA @ 225°C

· 柵源電壓：0V to +5V

· 柵極輸入電容: 23pF

· 225°C工作時漏極截止電流@ 0.4μA

· 封裝形式：TO39金屬外殼             

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

2） 高溫小信號MOSFET P-channel 30V

· 漏極電壓最高：30V

· 漏極電流最高： 310mA   @ 225°C

· 柵源電壓：0V to +5V

· 柵極輸入電容: 14pF

· 225°C工作時漏極截止電流@ 0.4μA

· TO39金屬外殼 

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

6)高溫dual MOSFET N-channel 40V

· 漏極電壓最高：40V

· 漏極電流最高：225°C  2A

· 導通電阻0.4 Ohms (each transistor) 

· 柵源電壓：0V to +5V

· Ceramic SOIC16 package

· 溫度範圍: -55°C to +225°C

7）高溫高電壓碳化硅開關

· 漏極電壓最高：600V

· 最大漏極電流@ 225°C: 1A

· 導通電阻： 0.7Ω @ 25°C and 1.25Ω @ 225°C 

· 柵源電壓：0V to +5V

· Metal TO254 package

Ordering #	Description	Datasheet
CHT-PLA3172A-TO254-T	Silicon Carbide (SiC) High Voltage Switch	CHT-JUPITER datasheet (243 KB)

8）高溫雙系列小信號二極管 Dual Series Small Signal Diode

·  溫度範圍 -55°C to +225°C · 最大的反向電壓: 80V · 最大正向電流 @ 225°C: 300mA · 電容值: 8.5pF · 反向電流：8.9μA @ 225°C  · TO18 metal can package Ordering #  Description  Datasheet  CHT-PLA5598A-TO18-T  Dual Series Small Signal Diode  CHT-GANYMEDE datasheet (366 KB)