POWER-SEM
Dual IGBT Driver
2DI 615
2DI 615T (SMT)
雙路大功率IGBT 驅動核
特點
●基於ASIC 設計的雙路IGBT 驅動核
●為600V、1200V 及1700V 全系列IGBT 設計
●可選擇半橋互鎖模式或二個單路模式
●監測VCEsat 提供短路及過流保護
●納米晶變壓器隔離
●電源欠壓保護(<12.5V 保護)
●故障記憶
●半橋模式下具有上下管互鎖功能
●死區時間可調
●內置驅動用DC/DC 隔離電源
● ±15A 峰值電流輸出
● IGBT 門極驅動電壓+15V/-9V
● 300ns 信號轉換時間
● 110ns 故障信號回饋時間
● 100ns 窄脈衝抑制消除射頻干擾
●最高工作頻率100kHz
●具備故障同步功能，低電平有效
●原邊－付邊的空氣間隙距離39mm
●提供表面貼裝型號適合規模生產
應用
●單路或橋式電路
●變頻器
●電焊機
●感應加熱
●逆變器
●大功率UPS
●大功率高頻開關電源