硅料回收硅具有優良的半導體電學性質。禁帶寬度適中，為1.12電子伏。載流子遷移率較高，電子遷移率為1350釐米2/伏·秒，空穴遷移率為480釐米2/伏·秒。
本征電阻率在室溫(300K)下高達2.3×105歐·釐米,摻雜后電阻率可控制在104～10-4 歐·釐米的寬廣範圍內，能滿足製造各種器件的需要。硅單晶的非平衡少數載流子壽命較長,在几十微秒至1毫秒之間。
熱導率較大。化學性質穩定，又易於形成穩定的熱氧化膜。在平面型硅器件製造中可以用氧化膜實現PN結表面鈍化和保護，還可以形成金屬-氧化物-半導體結構,製造MOS場效應晶體管和集成電路。
上述性質使PN結具有良好特性，使硅器件具有耐高壓、反向漏電流小、效率高、使用壽命長、可靠性好、熱傳導好，並能在200高溫下運行等優點