高溫擴散爐

外型形式：

臥式1—4管結構高溫擴散爐主要滿足半導體電力電子器件行業、大功率集成電路等行業，對所加工硅片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統、控制系統、超淨化操作系統等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。

 　　 　　
技術指標：   可處理硅片尺寸：2—8英吋 　　
               工作溫度：200℃—1300℃ 　　
                恆溫區長度及精度：200mm—100mm≤±0.5℃ 　　
                單點溫度穩定性、重複性：≤±1.5℃／24h 　　
                溫度斜變：可控升溫速率20℃／min， 　　
                可控降溫速率：5℃／min 　　
                送片裝置：全自動懸臂推拉舟、拉杆是推拉舟、手動推拉 　　
                氣路系統：1—5路工藝氣體／管 　　
                氣體控制：全自動MFC、手動浮子流量計 　　
                 控制方式：工控機、觸摸屏