二氧化硅，高純二氧化硅顆粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸發材料，鍍膜專用二氧化硅 
化學符號：SiO2 
 

沸    點：2230℃

純    度：4N

規    格：1-4mm,顆粒，靶材

分 子 量：60.08 
外    觀：白色 
熔    點：1700℃ 
密    度：2.2-2.7g/cm3  
在10-4Torr真空下蒸發溫度為：1025℃ 
透 明 區/nm：200-8000 
相對介電常數：3-4 
擊穿電壓/V？cm-1：106 
厚    度μm：0.03-0.3 
沉積技術：反應濺射 
折 射 率(波長/nm)：1.46(500) 
          1.445(1600) 
線膨脹係數/℃-1:5.5×10-7 
蒸發方式：電子束 
性    能： 可用鉭舟加熱蒸發，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發，但由電阻加熱蒸發會產生分解，由電子束加熱蒸發效果很好；不溶于水和酸，但溶于氫氟酸；其微粒能與熔融碱起作用； 
應    用： 二氧化硅用途廣氾，主要用於冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。