一、產品概述
採用MEMS（Micro Electro-Mechanical System）技術和集成電路工藝，在單晶硅片的特定晶向上製成應變電阻構成的惠斯通檢測電橋，並利用硅的彈性力學特性，製作出集應力敏感與力電轉換檢測于一體的硅壓阻力敏元件。本系列產品以硅壓阻力敏元件為核心元件，並採用了無應力封裝及精密溫度補償技術，使得傳感器具有很高的穩定性和可靠性，具有優良的線性特性、的重複性及遲滯性能，是當代應用的壓力傳感器。傳感器採用恆流源或恆壓源供電，當芯體接受被測絕對壓力信號，擴散硅芯片就會發生形變。刻蝕在擴散硅芯片上的惠斯通電橋也隨之發生變化，導致惠斯通電橋失去平衡，從而產生一個線性關係的電壓輸出信號。

二、工作原理

以硅壓阻力敏元件為核心元件，並採用了無應力封裝及精密溫度補償技術，使得傳感器具有很高的穩定性和可靠性，具有優良的線性特性、的重複性及遲滯性能，是當代應用的壓力傳感器

三、產品特點
*靈敏度及準確度高、可靠性穩定
*頻響高，溫度性能好
*抗電擊穿性能與耐腐蝕性好