氮化硅結合碳化硅磚
氮化硅結合碳化硅磚磚是以碳化硅為主要原料，以黏土為結合劑燒成的耐火制品。其特征是熱導率高、熱膨脹係數小、抗熱震性和耐磨性好，是碳化硅系磚中最早開發出來的一種。
黏土結合碳化硅磚用黑色碳化硅為原料，其化學成分：SiC 98.0%，游離C 0.5%，Fe 0.2%，游離SiO2 0.6%，用結合性能良好的軟質黏土、紙漿廢液作結合劑。以往用的結合黏土比例較大，一般為10%～15%，現多用3%的黏土和5%的紙漿廢液。黏土加入量少的碳化硅磚熱導率比多黏土結合的碳化硅磚要高3～4倍，荷重軟化溫度和抗渣性也較高。結合黏土為3%的黏土結合碳化硅磚的製造工藝是，將粗、中、細SiC按可以獲得最大堆積密度的顆粒級配進行配製。先干混均勻后再加入黏土，干混3min后加入紙漿廢液(密度1.26～1.289/cm3)4%，進行混練。泥料水分約1.5%，困料12h后，泥料過4mm篩網，用壓磚機成型。磚坯體積密度2.5～2.79/cm3。在自然乾燥條件下乾燥2～4天，在隧道窯內燒成，燒成溫度1400℃。
該制品用做陶瓷窯窯具(棚板、支架、匣缽等)，馬弗爐用馬弗罩，鋁精鍊爐用爐襯磚，鋅蒸餾爐用蒸餾罐、水泥迴轉窯冷卻器等。
氮化硅結合碳化硅磚是用SiC和Si粉為原料，經氮化燒成的耐火制品。其特點是以Si3N4為結合相。Si3N4以針狀或纖維狀結晶存在於SiC晶粒之間，是一種重要的新型耐火材料。
利用反應燒結原理，以氮化反應使含硅粉的SiC坯體燒結，燒成過程在通入氮氣、容易控制的密閉爐內完成。爐內溫度、壓力、氣氛均要嚴格控制。主要工藝參數：氮化氣體壓力0.02～0.04MPa，爐內氣氛含O2量小於0.01%，最終氮化溫度1350～1450℃，氮化總時間隨制品形狀、尺寸不同而異。
氮化硅結合碳化硅磚具有良好的耐碱侵蝕性、抗熔融冰晶石潤濕性、抗氧化性、耐磨性、高導熱性、抗熱震性和極低的電導率。
氮化硅結合碳化硅磚主要用做高爐下部爐身內襯，比使用傳統耐火材料壽命提高1倍以上，此外，可用做鋁還原電解槽內襯、陶瓷窯具，有節能、提高壽命、不污染環境等優點，還可用做高爐風口水冷管套磚。
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