結構：Asynchronous SRAM 密度：16Mbit 溫度範圍：-55℃ to 200℃ 包裝：Die, packaged device available from Texas Instruments 架構:SRAM 密度:16MIT 故障避免/公差:EDAC和擦洗發動機，Hardsil：鎖存豁免 溫度範圍:-55至125C 封裝：選件模具，封裝設備可從德州儀器公司獲得 tid：>300k rad（si） SER（啟用EDAC）：<5E-17錯誤/位日 單事件閉鎖（let）：110 mev-cm2/mg 

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