TeraSense太赫茲發射器(IMPATTdiode)

TeraSense太赫茲發射器(IMPATTdiode)
型號:-
品牌:TeraSense
原產地:美國
類別:電子、電力 / 儀器、儀表 / 光學透鏡和儀器
標籤︰TeraSense , 太赫茲發射器
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產品描述

太赫茲發射器 (碰撞雪崩渡越時間二極管)

 

 

TeraSense公司簡介:

TeraSense是一家俄羅斯的太赫茲設備生產商,主要產品包括:低成本、便攜式亞太赫茲成像相機、太赫茲發射源和超快探測器等。TeraSense擁有一支強大的技術團隊,包括20多位富有經驗的科學家和工程師。他們中的大多數都擁有微波和太赫茲研究領域的博士學位,代表了俄羅斯物理學家的年輕一代。科學組已經取得了多項研究成果,並且在國際同行業評審期刊上發表了超過300篇論文。

 

產品描述:

TeraSense系列太赫茲源(IMPATT diode,碰撞雪崩渡越時間二極管),是一種硅雙漂移二極管,過渡區域0.6um,安裝在銅散熱器上。雙偏移二極管的分層:重摻雜(p +)層,適度摻雜(p-)層,適度摻雜(n-)層和重摻雜(n +)層。(p +)和(n+)層允許歐姆電觸點接觸到外部電路。設備依靠負電阻產生和維持振盪。

Terasense現在提供雪崩渡越二極管的升級版本。升級后的雪崩渡越二極管配備防護隔離器,大大提高了輸出功率的穩定性。你可以根據需要,選擇帶有嚴格固定的喇叭天線的雪崩渡越二極管,或帶有WR -法蘭的雪崩渡越二極管。優化頻率為100 GHz時,雪崩渡越二極管的典型輸出功率可以達到100mW

 

產品特點:

可用頻率: 100 GHz ,140 GHz

大功率輸出 (80 mW30mW)

穩定性高

線寬縮小至1 MHz

工作電流: 150 – 180 mA

價格低廉

結構緊湊,體積小,易於集成

 

TeraSense太赫茲發射器(IMPATTdiode) 1

會員信息

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最後上線︰2019/06/13