Agileswich DSAT操作設置程序手冊
6.2.1條。介紹
在去飽和（DSAT）或短路條件下，MOSFET正在傳導非常高的
權力。必須控制關斷以控制di/dt、過沖電壓，最重要的是
設備。
增強型開關TM通過監控Vds快速檢測短路情況來實現這一點
然後關掉設備。裝置中的能量在一段很長的時間內消散
足以管理低於設備額定值的峰值電流和電壓過沖，並且足夠短
確保設備不會過熱和出現故障。
每降低柵極電壓電平，MOSFET的RDSon就會增加，這就降低了
流過MOSFET的電流量。
6.2.2條。確定初始參數設置
警告：DSAT（短路）是一種破坏性測試。強烈建議謹慎行事
使用保守的關閉設置來熟悉設備和測試程序。
典型的DSAT測試條件在給定溫度下模擬模塊額定電流的10倍
系統標稱直流鏈路電壓。
通過用功率電阻器或電線替換圖10中的電感器，可以模擬這種情況
很短。使用一個已知的小電阻可以測量漏電流，而不需要
電流探針，因為電流可以通過電阻上的電壓來計算

4編譯並編程門驅動程序。
5在直流鏈路電壓關閉的情況下，探測本振門併發送單脈衝信號。
a、 要使柵極驅動器在不使用高功率的情況下感測DSAT，請將其從柵極上卸下
電源模塊上的電源引腳。
6根據這些DSAT操作設置，檢查LO門的行為是否符合預期。
a、 下圖顯示了從LO側Vgs測得的空載DSAT波形。
b、 此特定測試的設置為：
i、 DSAT電壓電平（消隱時間）=500ns
二。DSAT第一次關閉=13V，1000ns
iii.DSAT第二次關斷=9V，1000ns
接通直流鏈路電壓並執行DSAT測試。
a、 使用模擬50%額定電流的功率電阻器。這樣可以保持電流
相對較低，允許您體驗無脈衝高電流的DSAT條件
通過模塊。
i、 AgileSwitch建議在此階段一次調整一個參數，以了解如何調整
它影響di/dt和過沖電壓。
6.2.3條。優化參數設置
小心操作。由於具有破坏性，描述DSAT設置可能是一項困難的任務
測試的性質。
一般程序是：
1用R2代替R1，模擬75%的峰值電流。
2使用初始設置中最合適的設置（50%額定電流）。
三。將直流鏈路電壓設置為標稱系統電壓的50%。
4發出一個脈衝。
5審查結果。
a、 Vgs
i、 駕駛員是否檢測到短路？
1VG應該類似于圖17。
2如果從正常操作來看，它看起來像圖13，那麼它沒有檢測到短路。以25V的增量增加直流鏈路電壓，直到DSAT檢測到。

b、 峰值電流-Id
i、 它達到你用功率電阻設置的電流了嗎？
1如果是，保持空白時間不變。
2如果沒有，考慮增加一步沖裁時間。（即從
500ns至600ns）
c、 Vds公司
i、 過沖電壓是否超過設備的最大額定值？
1如果沒有，很好。
2如果是，停止並降低直流鏈路電壓並調整DSAT
操作一次設置一個參數。
6用R3代替R2來模擬100%的峰值電流。
7重複步驟3-5。
8一旦你縮小了一組特定的參數，提高直流鏈路電壓到
標稱系統電壓並再次重複步驟3-5
下表和圖顯示了來自AgileSwitch門驅動器和
傳統的柵極驅動器只有柵極電阻控制

這些結果表明，Rg=0.5Ω的增強開關能夠對DSAT起反應迅速安全地關閉設備。Vds不超過900V，di/dt為控制以降低系統噪音，從而使閘門重新開啟。Rg=5Ω的傳統門驅動器無法安全地保護該設備。這個過沖電壓超過裝置額定值1200V，di/dt上的振鈴過大。

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