PH852DBR

852nm系列

高功率(280mW)、單頻輸出激光二極管

核心技術：                      

（1）DBR單頻激光芯片；（2）AlGaAs 量子阱有源層。

產品特點：

（1）高功率，單頻輸出；（2）激光線寬小於1MHz；（3）多種封裝形式；（4）無跳模調諧範圍寬；（5）使用壽命長；（6）可提供納秒或皮秒脈衝輸出。（7）調製頻率可達6.8GHz（for putting sidebands on the laser)。

PH852DBR系列高功率激光二極管是基於Photodigm公司先進的單頻率激光芯片技術設計而成。它可以提供衍射極限且單縱模輸出的激光光束，主要應用於Cs原子光譜研究等領域。

852nmDBR激光二極管將光柵放置於激光有源層的一端，可有效避免二極管工作時電流對光柵造成的衝擊，能夠充分保証激光二極管的使用壽命和穩定性。另外，DBR激光二極管採用單步分子束外延生長而成，使生產成本更加低廉，並且保証了低內部損耗和高輸出功率。

技術參數：

連續模式輸出技術參數（T=25℃）

1/蝶形封裝   2/TO-8封裝

注意事項：

此激光二極管是靜電敏感器件，操作時請注意接地保護和佩戴靜電手環。存儲時請將各管腳短接在一起並放入防靜電的容器內。