擴散爐主要滿足半導體電力電子器件、大功率集成電路等行業，對所加工的硅
片進行擴散、氧化、退火、合金等工藝。主要由擴散爐加熱爐體、氣源系統、 控制系統、超淨化操作系統等組成。選用工控機微控方式或者程控方式操作。

擴散爐技術指標：
可處理硅片尺寸：2—12英吋
外型形式：臥式1—4管結構
工作溫度：200℃—1300℃
恆溫區長度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
單點溫度穩定性、重複性：≤±1℃／24h
溫度斜變：可控升溫速率15℃／min
可控降溫速率：5℃／min
送片裝置：手動推拉
氣路系統：1—5路工藝氣體／管
氣體控制：手動浮子流量計
控制方式：程控