型號: | Au-01 |
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品牌: | szzzna |
原產地: | 中國 |
類別: | 冶金礦產、能源 / 冶金礦產 / 金屬礦產 |
標籤︰ | 金Au靶 , 蒸發金顆粒 , 金片 |
單價: |
¥150
/ 件
|
最少訂量: | 1 件 |
供應科研高純度貴金屬黃金靶材及金基合金濺射靶材Gold(Au)Targets科研及PVD塗層材料
產品名稱: |
高純黃金及金基合金濺射靶材 |
牌號規格: |
Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4、Au80Sn20 |
用途備註: |
金、金鍺、金鍺鎳等濺射靶材通過磁控濺射工藝沉積在半導體芯片如GaAs、GaP、GaN等表面,形成歐姆接觸膜、電極和連線膜。可形成多種金屬化膜系統。 |
產 品 詳 情
高純貴金屬金及合金是製造半導體芯片的關鍵基礎材料。使用金靶材將金膜沉積在半導體芯片表面,形成歐姆接觸膜、電極和連線膜,可形成多種金屬化膜系統。該金屬氧化膜系統可大量應用於製造發光二極管(LED),軍民用微波通信器件,航天、航空等重要領域用半導體化合物以及芯片太陽能電池等領域。
另外,我們為客戶提供銅背板與靶材的綁定服務技術(Bonding),由純銦作為中間的焊接材料使用銅底板與靶材緊密的結合,有利於靶材表面溫度的快速散掉,提高靶材的使用率。
化學成分
序號 |
合金牌號 |
主成分 |
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Au |
Ge |
Ni |
Ga |
Be |
|||||||
1 |
Au1 |
≥99.99 |
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|||||
2 |
Au01 |
≥99.999 |
—— |
—— |
—— |
—— |
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3 |
Au88Ge |
88±0.5 |
余量 |
—— |
—— |
—— |
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4 |
Au83.5GeNi |
83.5±0.5 |
余量 |
5±0.4 |
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備註:可按客戶要求提供其它成分的產品。 |
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外形尺寸(mm) |
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合金牌號 |
形狀 |
規格 |
允許偏差 |
厚度 |
允許偏差 |
||||||
Au1、Au01 |
圓形 |
100-250 |
±0.1 |
3~6 |
±0.2 |
||||||
方形 |
127×381 |
±1 |
3~6 |
±0.2 |
|||||||
AuGe12、Au83.5GeNi、 |
圓形 |
100-250 |
±0.3 |
6 |
±0.5 |
||||||
方形 |
127×381 |
±1 |
6 |
±0.5 |
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備註:可供其它規格和允許偏差的產品。 |
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黃金及金基合金濺射靶材Gold(Au)Targets
高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材Gold(Au)Targets,作為科研及PVD(物理氣相沉積)塗層材料的佼佼者,以其卓越的純度、高密度的物理特性以及獨特的熔點,在半導體、光電子、航空航天等多個高科技領域展現出了非凡的應用優勢。
我司深耕靶材領域十年,專注研發與生產,鑄就行業精品。所生產單材質靶材如下:
SINGLE ELEMENTS 單材質靶材、電子束蒸發顆粒 |
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Aluminum (Al) |
Nickel (Ni) |
Antimony (Sb) |
Niobium (Nb) |
Arsenic (As) |
Osmium (Os) |
Barium (Ba) |
Palladium (Pd) |
Beryllium (Be) |
Platinum (Pt) |
Boron (B) |
Rhenium (Re) |
Cadmium (Cd) |
Rhodium (Rh) |
Carbon (C) |
Rubidium (Rb) |
Chromium (Cr) |
Ruthenium (Ru) |
Cobalt (Co) |
Selenium (Se) |
Copper (Cu) |
Silicon (Si) |
Gallium (Ga) |
Silver (Ag) |
Germanium (Ge) |
Tantalum (Ta) |
Gold (Au) |
Tellurium (Te) |
Hafnium (Hf) |
Tin (Sn) |
Indium (In) |
Titanium (Ti) |
Iridium (Ir) |
Tungsten (W) |
Iron (Fe) |
Vanadium (V) |
Lead (Pb) |
Yttrium (Y) |
Magnesium (Mg) |
Zinc (Zn) |
Manganese (Mn) |
Zirconium (Zr) |
Molybdenum (Mo) |
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首先,從材料特性來看,高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材的純度高達99.999%,這一超高的純度確保了靶材在濺射鍍膜過程中能夠沉積出極其純淨且均勻的薄膜層,有效提升了產品的性能與可靠性。其密度達到19.3g/cm³,使得靶材在濺射過程中能夠保持穩定的濺射速率和均勻的濺射面積,進一步保証了鍍膜質量。而黃金的熔點高達1064.2℃,這一特性使得靶材在高溫環境下依然能夠保持穩定,滿足各種極端條件下的應用需求。
1、在半導體領域,它們是製造集成電路芯片的關鍵材料,通過磁控濺射工藝,將金膜沉積在半導體芯片表面,形成歐姆接觸膜、電極和連線膜,極大地提升了芯片的導電性能和穩定性。同時,金靶材的高純度確保了薄膜層的純淨度,降低了芯片故障率,提高了產品的整體性能。
2、在光電子領域,高純黃金靶材被廣氾應用於平板顯示器、太陽能電池等產品的生產中。通過PVD技術,金膜被精確地沉積在基材表面,形成透明導電層或電極層,不僅提升了產品的光電轉換效率,還增強了產品的耐候性和使用壽命。此外,金基合金靶材如AuGe、AuGeNi等,通過調整合金成分,可以進一步優化靶材的性能,滿足更多樣化的應用需求。
3、在航空航天領域,高純濺射靶材同樣發揮着重要作用。它們被用於制備各種高性能塗層,如耐磨塗層、防腐蝕塗層等,以提高飛機、火箭等飛行器的表面性能,延長使用壽命。金靶材的高密度和優異的物理性能使得這些塗層能夠在極端環境下保持穩定,為飛行器的安全運行提供有力保障。
綜上所述,高純貴金屬黃金及金基合金濺射靶材Gold(Au)Targets以其卓越的純度、高密度的物理特性以及獨特的熔點,在科研及PVD塗層材料領域展現出了廣氾的應用前景和巨大的市場潛力。隨着科技的不斷髮展,它們將在更多高科技領域中發揮更加重要的作用,推動相關產業的技術進步和產業升級。
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最後上線︰ | 2024/12/02 |