LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應並澱積形成穩定固體薄膜。由於工作壓力低.氣體分子的平均自由程和擴散係數大，故可採用密集裝片方式來提高生產率，並在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜澱積層。LPCVD用於澱積Poly-Si.Si3N4.SiO2.磷硅玻璃.硼磷硅玻璃.非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜.廣氾應用於半導體集成電路.電力電子.光電子及MEMS等行業的生產工藝中。

   2、設備構成

    ◆設備由淨化工作台、加熱爐櫃、氣路真空櫃、微機控制櫃、氣源鋼瓶櫃（用戶配套選用件）等組成；

◆)臥式結構；

◆)工藝氣路系統配置；所有氣路配件均採用進口件， VCR接口。

◆壓力控制系統採用氮氣調壓；

◆真空系統採用羅茨泵——機械泵機組。

3 、安全保護

 ◆超溫報警：

◆極限超溫報警：

◆斷偶護保：