□規 格：滿足2"多片晶圓
□工 藝：GaN/GaAs等薄膜工藝
□設備組成：反應室、真空及壓力控制系統、載片、氣源系統、控制系統、氣瓶櫃等組成
□結構形式：電阻加熱/感應加熱
□能 力：2英吋1、3、6片
科研用常規MOCVD主要參數如下：
設備參數和配置：外延片3×2 英吋/爐
反應腔溫度控制：1300℃
壓力控制：0～800Torr
激光干涉在位生長監測系統
反應氣體：氨氣，硅烷
攜帶氣體/載氣：氫氣，氮氣；
MO源：三甲基鎵(TMGa)，三乙基鎵(TEG),三甲基銦(TMIn), 三甲基鋁(TMAl)，二茂基鎂(Cp2Mg),二甲基辛(DMZ)等

系統組成：
    由生長室、氣源、氣體控制系統、真空系統、整機的計算機控制系統等組成。系統各工藝參數均可由計算機自動控制（ WINDOW 界面）。
技術說明：
1 、生長過程中氣體的流量、襯底轉速度、襯底的加熱溫度、生長室的工作壓力等工藝參數由計算機實時自動控制。
2 、系統生長室的本底真空度可達 1.0 × 10 -5 Pa ，生長壓力可以在 1.0 ～ 1.0 × 10 -5 Pa 的範圍內設定，預處理室的真空度可達 1.0 × 10 -5 Pa 
3 、系統採用磁流密封技術，樣品可在 0 ～ 1500rpm 範圍內旋轉。
4 、系統可用於 III - V 族氮化物材料及其低維或多層結構的常壓與低壓生長。
5 、系統配置：進口組件，模塊化系統。
 

產品供貨形式：
□可與大學、科研院所單位合作完成相應的整機製造。
□可按要求提供相應的組件，如氣路單元製造、反應室設計製造、電控設計製造、計算機控制系統、機櫃加工、氣瓶櫃、氣路盤/箱、尾氣處理等等。
□二手設備的更新改造。
產品類型：科研型（R&D）
應用領域：化合物半導體-LED/半導體照明等科研領域

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