供應國際標準10抽頭硅延遲線 1-2千ns系列
| 型號： | DS1110 |
|---|---|
| 品牌： | Dallas OMILY CD MME |
| 原產地： | 美國 |
| 類別： | 電子、電力 / 磁性材料 |
| 標籤︰ | 硅延遲線 , 穩定和精確 , 高品質保証 |
| 單價： |
-
|
| 最少訂量： | 100 件 |
產品描述
開發銷售，延遲線，延時IC，延遲集成電路Delayline
主要產品:
延遲線（工控,軍工 高品質保証 ）
公司可根據客戶要求設計製作，並接受小批量ＯＥＭ／ＯＤＭ服務。歡迎來圖、來樣定做。具體資料可以登陸我公司網址，敬請垂詢。
深圳市歐米利電子有限公司 網址：WWW。OMILY。COM
聯繫地址： 深圳市福田區福明路雷圳大廈12B07 電話：0755-83995632
郵政編碼： 518028
聯繫人： 彭先生 013714030187 EMAIL：OMILY8899@163.COM
主要適合於IC配套,工控,軍工 高品質保証,可以根據客戶要求定做全系列產品Delayline
延遲線(延時線,延遲電路):正向,反向. 2ns、5ns、10ns、20ns、50ns、60ns、80ns、100ns 500NS 1000NS
DS1110延遲線是DS1010的升級替代產品。它含有10個等間隔的抽頭，可以提供5ns至500ns的延遲。這些器件採用標準16引腳SO或14引腳TSSOP封裝。DS1110系列延遲線在5V，+25°C時，提供±5%或±2ns (較大者)的額定精度。輸入DS1110的邏輯信號經過一個固定延遲(由型號后的尾綴確定)后在10抽頭輸出端再現。DS1110具有相同精度的前沿和后沿延遲。每個抽頭可驅動10個74LS負載。Dallas Semiconductor可以為用戶定製標準產品，以滿足特殊需求。
關鍵特性
全硅、5V、10抽頭延遲線
直接替代DS1010的升級產品
10個等間隔抽頭
穩定、精確的延遲
相同的前沿與后沿精度
在5V，+25°C時，延遲容差±5%或±2ns (較大者)
經濟型
自動嵌入，低截面
低功耗CMOS
TTL/CMOS兼容
兼容汽相、紅外和波峰焊
快速週轉原型
提供商業級與工業級溫度範圍的延遲線
可定製延遲
採用標準16引腳SO或14引腳TSSOP封裝
自動測試設備(ATE)
通信系統
醫療設備
PC外設設備
DS1110S-80 DS1110S-75 DS1110S-60 DS1110S-500 DS1110S-50 DS1110S-450 DS1110S-400 DS1110S-350 DS1110S-300 DS1110S-250 DS1110S-200 DS1110S-175 DS1110S-150 DS1110S-125 DS1110S-100 DS1110S DS1110E-80 DS1110E-75 DS1110E-60 DS1110E-500 DS1110E-50 DS1110E-450 DS1110E-400 DS1110E-350 DS1110E-300 DS1110E-250 DS1110E-200 DS1110E-175 DS1110E-150 DS1110E-125 DS1110E-100 DS1110E DS1110-80 DS1110-75 DS1110-60 DS1110-500 DS1110-50 DS1110-450 DS1110-400 DS1110-350 DS1110-300 DS1110-250 DS1110-200 DS1110-175 DS1110-150 DS1110-125 DS1110-100
DS1110E-10010抽頭硅延遲線
DS1110E-100+10抽頭硅延遲線
DS1110E-12510抽頭硅延遲線
DS1110E-125+10抽頭硅延遲線
DS1110E-15010抽頭硅延遲線
DS1110E-150+10抽頭硅延遲線
DS1110E-17510抽頭硅延遲線
DS1110E-175+10抽頭硅延遲線
DS1110E-20010抽頭硅延遲線
DS1110E-200+10抽頭硅延遲線
DS1110E-25010抽頭硅延遲線
DS1110E-250+10抽頭硅延遲線
DS1110E-30010抽頭硅延遲線
DS1110E-300+10抽頭硅延遲線
DS1110E-35010抽頭硅延遲線
DS1110E-350+10抽頭硅延遲線
DS1110E-40010抽頭硅延遲線
DS1110E-400+10抽頭硅延遲線
DS1110E-45010抽頭硅延遲線
DS1110E-450+10抽頭硅延遲線
DS1110E-5010抽頭硅延遲線
DS1110E-50+10抽頭硅延遲線
DS1110E-50010抽頭硅延遲線
DS1110E-500+10抽頭硅延遲線
DS1110E-6010抽頭硅延遲線
DS1110E-60+10抽頭硅延遲線
DS1110E-7510抽頭硅延遲線
DS1110E-75+10抽頭硅延遲線
DS1110E-8010抽頭硅延遲線
DS1110E-80+10抽頭硅延遲線
DS1135系列是流行的DS1013與DS1035的低功率、+5V、高速版本。
DS1135系列延遲線在單個封裝內有三個獨立的邏輯緩衝延遲線。該器件是Dallas Semiconductor最快的3合1延遲線。它採用標準8引腳DIP、150mil 8引腳Mini-SOIC，以及118mil 8引腳µSOP封裝。該器件具有精確的前沿和后沿延遲。它具有全硅延遲線方案固有的可靠性。每個輸出可以驅動10個LS負載。完整數據資料中的表1給出了標準延遲值。關於定製延遲的更詳細信息，
關鍵特性
全硅定時電路
三個獨立的緩衝延遲線
在整個溫度與電壓範圍內保証穩定和精確
精密的前沿和后沿特性保証了輸入信號的對稱性
標準8引腳DIP、8引腳SOIC (150mil)，以及8引腳µSOP (118mil)封裝
兼容汽相、紅外和波峰焊
採用卷帶包裝
備有商業和工業級溫度範圍；見完整數據資料中的定購信息表
5V電源供電(如果用3V電源供電，見DS1135L)
DS1013與DS1035的推薦替代產品
DS1135免費樣品採購封裝：類型 引腳 占位面積
封裝圖編碼/變更 *
溫度RoHS/無鉛？
材料分析
DS1135M-6 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-8 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-10 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-12 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-15 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-20 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-25 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-6+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-10+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-15+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-20+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-20/T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-25+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-25/T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-30+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-30/T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-6+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-15+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-30+W SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-6 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-8 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-10 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-12 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-15 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-20 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-25 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-30 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-12+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-8+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-10+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-20+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-25+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-30+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135U-10/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-12/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-15/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-20/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-6 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-8 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-10 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-12 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-15 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-20 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-25 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-30 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-8+T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8+1*
-40°C至+85°C參考數據資料
材料分析
主要產品:
延遲線（工控,軍工 高品質保証 ）
公司可根據客戶要求設計製作，並接受小批量ＯＥＭ／ＯＤＭ服務。歡迎來圖、來樣定做。具體資料可以登陸我公司網址，敬請垂詢。
深圳市歐米利電子有限公司 網址：WWW。OMILY。COM
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郵政編碼： 518028
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主要適合於IC配套,工控,軍工 高品質保証,可以根據客戶要求定做全系列產品Delayline
延遲線(延時線,延遲電路):正向,反向. 2ns、5ns、10ns、20ns、50ns、60ns、80ns、100ns 500NS 1000NS
DS1110延遲線是DS1010的升級替代產品。它含有10個等間隔的抽頭，可以提供5ns至500ns的延遲。這些器件採用標準16引腳SO或14引腳TSSOP封裝。DS1110系列延遲線在5V，+25°C時，提供±5%或±2ns (較大者)的額定精度。輸入DS1110的邏輯信號經過一個固定延遲(由型號后的尾綴確定)后在10抽頭輸出端再現。DS1110具有相同精度的前沿和后沿延遲。每個抽頭可驅動10個74LS負載。Dallas Semiconductor可以為用戶定製標準產品，以滿足特殊需求。
關鍵特性
全硅、5V、10抽頭延遲線
直接替代DS1010的升級產品
10個等間隔抽頭
穩定、精確的延遲
相同的前沿與后沿精度
在5V，+25°C時，延遲容差±5%或±2ns (較大者)
經濟型
自動嵌入，低截面
低功耗CMOS
TTL/CMOS兼容
兼容汽相、紅外和波峰焊
快速週轉原型
提供商業級與工業級溫度範圍的延遲線
可定製延遲
採用標準16引腳SO或14引腳TSSOP封裝
自動測試設備(ATE)
通信系統
醫療設備
PC外設設備
DS1110S-80 DS1110S-75 DS1110S-60 DS1110S-500 DS1110S-50 DS1110S-450 DS1110S-400 DS1110S-350 DS1110S-300 DS1110S-250 DS1110S-200 DS1110S-175 DS1110S-150 DS1110S-125 DS1110S-100 DS1110S DS1110E-80 DS1110E-75 DS1110E-60 DS1110E-500 DS1110E-50 DS1110E-450 DS1110E-400 DS1110E-350 DS1110E-300 DS1110E-250 DS1110E-200 DS1110E-175 DS1110E-150 DS1110E-125 DS1110E-100 DS1110E DS1110-80 DS1110-75 DS1110-60 DS1110-500 DS1110-50 DS1110-450 DS1110-400 DS1110-350 DS1110-300 DS1110-250 DS1110-200 DS1110-175 DS1110-150 DS1110-125 DS1110-100
DS1110E-10010抽頭硅延遲線
DS1110E-100+10抽頭硅延遲線
DS1110E-12510抽頭硅延遲線
DS1110E-125+10抽頭硅延遲線
DS1110E-15010抽頭硅延遲線
DS1110E-150+10抽頭硅延遲線
DS1110E-17510抽頭硅延遲線
DS1110E-175+10抽頭硅延遲線
DS1110E-20010抽頭硅延遲線
DS1110E-200+10抽頭硅延遲線
DS1110E-25010抽頭硅延遲線
DS1110E-250+10抽頭硅延遲線
DS1110E-30010抽頭硅延遲線
DS1110E-300+10抽頭硅延遲線
DS1110E-35010抽頭硅延遲線
DS1110E-350+10抽頭硅延遲線
DS1110E-40010抽頭硅延遲線
DS1110E-400+10抽頭硅延遲線
DS1110E-45010抽頭硅延遲線
DS1110E-450+10抽頭硅延遲線
DS1110E-5010抽頭硅延遲線
DS1110E-50+10抽頭硅延遲線
DS1110E-50010抽頭硅延遲線
DS1110E-500+10抽頭硅延遲線
DS1110E-6010抽頭硅延遲線
DS1110E-60+10抽頭硅延遲線
DS1110E-7510抽頭硅延遲線
DS1110E-75+10抽頭硅延遲線
DS1110E-8010抽頭硅延遲線
DS1110E-80+10抽頭硅延遲線
DS1135系列是流行的DS1013與DS1035的低功率、+5V、高速版本。
DS1135系列延遲線在單個封裝內有三個獨立的邏輯緩衝延遲線。該器件是Dallas Semiconductor最快的3合1延遲線。它採用標準8引腳DIP、150mil 8引腳Mini-SOIC，以及118mil 8引腳µSOP封裝。該器件具有精確的前沿和后沿延遲。它具有全硅延遲線方案固有的可靠性。每個輸出可以驅動10個LS負載。完整數據資料中的表1給出了標準延遲值。關於定製延遲的更詳細信息，
關鍵特性
全硅定時電路
三個獨立的緩衝延遲線
在整個溫度與電壓範圍內保証穩定和精確
精密的前沿和后沿特性保証了輸入信號的對稱性
標準8引腳DIP、8引腳SOIC (150mil)，以及8引腳µSOP (118mil)封裝
兼容汽相、紅外和波峰焊
採用卷帶包裝
備有商業和工業級溫度範圍；見完整數據資料中的定購信息表
5V電源供電(如果用3V電源供電，見DS1135L)
DS1013與DS1035的推薦替代產品
DS1135免費樣品採購封裝：類型 引腳 占位面積
封裝圖編碼/變更 *
溫度RoHS/無鉛？
材料分析
DS1135M-6 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-8 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-10 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-12 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-15 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-20 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135M-25 PDIP(N)；8引腳；80mm²
封裝圖： 21-0043 (PDF)
Land Pattern: Not Applicable
使用封裝碼/變更：P8-7*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-6+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-10+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-15+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-20+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-20/T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-25+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-25/T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-30+T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-30/T&R SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-6+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-15+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-30+W SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-6 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-8 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-10 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-12 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-15 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-20 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-25 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-30 SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8-4*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135Z-12+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-8+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-10+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-20+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-25+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135Z-30+ SOIC(N)；8引腳；31mm²
封裝圖： 21-0041 (PDF)
Land Pattern: 90-0096 (PDF)
使用封裝碼/變更：S8+2*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：無鉛
材料分析
DS1135U-10/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-12/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-15/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-20/T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-6 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-8 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-10 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-12 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-15 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-20 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-25 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-30 µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8-1*
-40°C至+85°CRoHS/無鉛：否
材料分析
DS1135U-8+T&R µMAX；8引腳；16mm²
封裝圖： 21-0036 (PDF)
Land Pattern: 90-0092 (PDF)
使用封裝碼/變更：U8+1*
-40°C至+85°C參考數據資料
材料分析
會員信息
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| 最後上線︰ | 2017/05/10 |