專業半導體激光器研發生產。1064nm半導體激光器，532nm半導體激光器，808nm半導體激光器。半導體激光器特點：體積小、熱量低、使用壽命長。應用：激光打標、激光雕刻、激光打孔、激光調阻、激光焊接等。
    半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生受激發射作用的器件.其工作原理是,通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間,實現非平衡載流子的粒子數反轉,當處於粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時,便產生受激發射作用.半導體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式.電注入式半導體激光器,一般是由GaAS(砷化鎵),InAS(砷化銦),Insb(銻化銦)等材料製成的半導體面結型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域產生受激發射.光泵式半導體激光器,一般用N型或P型半導體單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物質,以其他激光器發出的激光作光泵激勵.高能電子束激勵式半導體激光器,一般也是用N型或者P型半導體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質,通過由外部注入高能電子束進行激勵.在半導體激光器件中,目前性能較好,應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器.
本公司所生產的半導體激光器使用國際先進半導體封裝工藝，採用水平排列列陣的封裝工藝，極大的提高了模塊的制冷效率，增強了模塊的使用壽命，確保了模塊安全、穩定的工作。模塊體積小巧，電光轉換效率高，其耗電量是傳統燈泵浦的25%。
主要特點
* 光電轉換效率高。
* 功率密度高，出光穩定，可靠。
* 封裝簡潔，緊湊，體積小。
* 使用進口芯片，產品有效使用壽命。
* 模塊冷卻採用簡單循環水冷，純淨水即可。
* 低成本提供Bar條更新服務，具有超高性價比。
中心波長              1064nm
輸出功率(CW)     40W/50W/70W/100W
效率                      40%
最佳工作溫度     25度
工作物質              ND:YAG
晶體棒尺寸          3*67mm
最大工作電流      25A
最大工作電壓       24V
http://www.ewlaser.com  www.ewlaser.cn
Tel: 0086-571-62023787
Mobile phone: 0086- 15990199065
E-mail: laserren@yahoo.cn
 顧先生