DKDP電光Q開關(Q-switch, Pockels Cell)因其獨特的物理特性和優異的光學品質而廣氾應用於大口徑、高功率、窄脈寬(<10ns)激光系統。DKDP晶體是單軸晶體,具有優異的光學質量, 其消光比>1000:1(使用632nm He-Ne激光測量), 波前畸變<Lambda/10 @632.8nm, 應用波段範圍為200-2000nm, 在240-1400nm波段內, 透過率>98%。 DKDP電光Q開關電容小(約為3pF), 因而上升時間短(<0.5ns), 在調Q時可輸出窄脈寬的脈衝激光。與市場上使用較廣氾的電光晶體相比, DKDP晶體具有較高的損傷閾值; 在脈寬10ns、波長為1064nm、重複頻率 10 Hz 的光學條件下, 損傷閾值>1GW/cm2。

D-EO-Q系列DKDP電光Q開關設計製造完全基於工業化的實際應用。採用優良的耐環境溫度衝擊的材料和結構設計保証開關內環境的穩定以及優異的電光性能; 不使用任何具有揮發性質的封膠或粘合劑, 因而在其所應用的激光系統中, 不會出現對器件和整個激光器系統的污染性影響。